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宜普推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET）演示板，實現具備高質音頻性能並節省空間的設計

本文作者：宜普公司點擊： 2013-11-25 13:44

前言：

專業高音質並可實現96%效率

2013年11月25日--宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。

EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。

EPC9106演示板的電源模組在極細小如十美分硬幣（一角）的版圖上（2.1 mm x 1.6 mm）已包含氮化鎵場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容！尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。

氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：

現場示範EPC9106演示板：http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s
應用於D類音頻放大器的氮化鎵場效應電晶體的視頻：http://www.youtube.com/watch?v=g0dZIgfF0-s&feature=youtu.be
速查指南：http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9106_qsg.pdf
下載EPC2016及所有宜普公司氮化鎵器件的資料表：http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx
開發板及其他設計支援：http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx
氮化鎵場效應電晶體的應用技術資料：http://epc-co.com/epc/DesignSupport.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽網站www.epc-co.com.tw。

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