力旺電子NeoBit矽智財提供全方位Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片解決方案

2014年2月25日--嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子宣佈，力旺電子NeoBit單次可程式記憶體(One Time Programmable embedded non-volatile memory，OTP)矽智財成功拓展Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)應用，在已佈局之0.18um、0.13um、80nm高壓製程平台外，更進一步於世界級晶圓代工廠之12吋55nm高壓先進製程，提供成熟的量產解決方案。此先進製程能將晶片面積微小化，以更小尺寸的靜態隨機存取記憶體(SRAM)實現Full-HD畫質，同時亦提供具備低耗電的儲存單元，可為高解析度小尺寸顯示器驅動晶片客戶，依不同產品定位，提供全方位低耗電與輕巧體積之Full-HD畫質面板顯示方案。除此之外，55nm高壓先進製程更可積極做為超高畫質(Ultra HD, UHD) 甚至於超高解析度(Wide Quad HD, WQHD) 顯示器SDDI之生產平台，將可協助驅動晶片客戶搶攻下一世代高階顯示器應用商機。

近年來手機、平板應用程式朝向多元化與娛樂化演進，消費者透過行動裝置進行影音娛樂活動的需求快速提升，促使主流產品市場更加注重高解析度的螢幕畫面、更長的電池壽命、與更輕薄的設計。這些市場趨勢，引領行動通訊裝置之解析度主流規格從WVGA/HD720推升至Full-HD高畫質，甚至朝向UHD、WQHD演進，也使得強調具備高畫質解析度、更小之晶片體積、以及省電低功耗設計等主流產品需求之規格，已成為現階段驅動晶片發展的必然趨勢。  

以目前80nm、90nm高壓製程生產之驅動晶片，受限於SRAM存取速度及功耗問題，耗電較高，效能較不理想，難以滿足Full-HD SDDI對高容量SRAM的需求。然而，當顯示器朝向越高解析度演進，驅動晶片必然需要內含更多高容量之SRAM，此時如何縮小晶片體積、同時降低功耗便成為需要克服的挑戰。55nm高壓先進製程具備低耗電SRAM儲存單元，且可進一步微縮SRAM之尺寸，適合採用做為Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片之生產平台。瞄準此市場趨勢，力旺電子領先於12吋晶圓55nm先進高壓製程佈局，為Full-HD SDDI應用客戶提供已臻成熟良率的解決方案。搭配力旺電子NeoBit OTP矽智財，使晶片客戶得以利用參數設定的方式，協助調校顯示驅動晶片的畫面色彩，提高影像銳利度，使畫質更清晰。且力旺電子的NeoBit OTP矽智財，不須修改製程條件，能夠於最終產品模組封裝階段彈性調整顯示器驅動晶片色彩參數。力旺電子開發之NeoBit 技術即使在55nm先進製程，仍能展現優異的特性，包括穩定的產品良率、高度的可靠性、製程的便利性等，是客戶能夠成功利用此先進技術快速進入量產的關鍵因素。結合力旺電子之矽智財及先進製程的優勢，能為客戶建構更具競爭力之Full-HD SDDI生產平台，更加符合高階行動裝置之規格需求與應用。

採用力旺電子NeoBit OTP矽智財於55nm高壓先進製程生產之Full-HD SDDI，具備小尺寸、低耗電、以及高效能之優勢，能為客戶大幅提升產品之競爭力與成本效益，並已於世界級的晶圓代工廠進入成熟量產的階段。力旺電子可為驅動晶片客戶提供全方位的0.18um、0.13um、80nm、55nm高壓製程平台NeoBit OTP解決方案，是客戶掌握市場趨勢及提升產品競爭力的最佳合作夥伴。展望未來，力旺電子將與晶圓代工合作夥伴積極深耕先進製程平台，為客戶提供更多元、更完整的嵌入式非揮發性記憶體技術與矽智財服務。

關於力旺電子

力旺電子成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。力旺電子目前擁有約210名員工，並於財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心(代號3529)上櫃交易。