恩智浦推出業界首款採用LFPAK56 (Power SO-8)封裝雙極性電晶體

2014年2月27日--恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)推出業界首款採用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD電源塑封的雙極性電晶體。新組合由6個60 V和100 V低飽和電晶體組成，集極電流最高為3 A (IC)，峰值集極電流(ICM)最高為8 A。新型電晶體的功耗為3 W (Ptot)，VCEsat值也相當低，其散熱和電氣性能不僅等同較大尺寸的電源封裝（如DPAK）雙極性電晶體，且體積減少。

恩智浦LFPAK封裝採用實心銅夾片和集極散熱片設計，該設計可大幅降低封裝的電阻和熱阻，是實現高功率的基礎。LFPAK同時還移除了市場上眾多DPAK競爭產品中使用的焊線，使恩智浦得以大幅提高機械堅固度和可靠性。

新款LFPAK56雙極性電晶體通過AEC-Q101認證，適用於多種汽車應用，最高支援175°C的環境溫度。這些新型低VCEsat電晶體還可用於背光、電機驅動和通用電源管理等應用。今年新的雙極性電晶體組合將不斷推出新品，包括採用LFPAK56D封裝的雙電晶體以及採用LFPAK56封裝的6 A、10 A和15 A高電流型號。

恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示：「我們相信，恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性電晶體領域緊湊型電源封裝的標準，如同恩智浦LFPAK如今成為MOSFET產業標準一樣。汽車市場特別需要採用這種封裝的雙極性電晶體，為開發小尺寸、高功率密度和高效率的模組奠定基礎。」