2014年4月8日--全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高效能運算及通訊等應用推出20到30V的元件。其中的IRL6283M 20V DirectFET為該系列的重點元件，備有極低的導通電阻 (RDS(on))。
IRL6283M在超薄的30 mm2 DirectFET中型罐封裝內配備低至500 µΩ (典型值) 的導通電阻，以大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌操作，而且當電流達到20A時，更比尺寸同為30 mm2的同類型最理想PQFN元件降低15%的損耗，使設計師能夠在高電流應用內減少元件數量。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「StrongIRFET系列經過擴充後，能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲高效率開關的需求。全新IRL6283M在高效能封裝內配備了行業領先的導通電阻，實現無可比擬的功率密度。」
與DirectFET系列的其他元件一樣，IRL6283M提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能，以及旨在改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了高鉛裸片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。
IR的StrongIRFET系列同時提供採用了行業標準佔位面積的PQFN封裝元件，並備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令的環保物料清單。
規格
|
元件編號
|
電壓
|
最高 VGS
|
封裝
|
電流
額定值
|
導通電阻 (典型/最高)
|
資格水平
|
||
|
(V)
|
(V)
|
(A)
|
@10V
|
@ 4.5V
|
@2.5V
|
|||
|
IRL6283M
|
20
|
12
|
DirectFET MD
|
211
|
.50/.75
|
.65/.87
|
1.1/1.5
|
工業
|
|
IRFH8201
|
25
|
20
|
PQFN 5x6B
|
100*
|
.80/.95
|
1.20/1.60
|
不適用
|
|
|
IRFH8202
|
.90/1.05
|
1.40/1.85
|
||||||
|
IRFH8303
|
30
|
.90/1.10
|
1.30/1.70
|
|||||
|
IRFH8307
|
1.1/1.3
|
1.7/2.1
|
||||||
|
IRF8301M
|
DirectFET MT
|
192
|
1.3/1.5
|
1.9/2.4
|
||||
產品現正接受批量訂單。數據資料及Spice模型已於IR的網站http://www.irf.com提供。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
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