2014年4月24日--宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。
與矽MOSFET器件相比，氮化鎵場效應電晶體具備超卓的電流共用功能，為理想的可並聯工作的電晶體。這塊開發板在最優版圖上進一步發揮採用超低電感封裝的氮化鎵場效應電晶體的性能。這種最優版圖技術提高了效率並同時降低電壓過沖及EMI。
EPC9016 開發板的最高電壓為40 V、最大輸出電流為25 A，使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵電晶體及板載柵極驅動器（LM5113）。該半橋配置含單一頂部器件及兩個並聯的底部器件，建議用於具有高降壓比例的降壓轉換器應用包括負載點轉換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉換器應用。
EPC9016 開發板是塊2英寸x1.5英寸單板，板上集成了所有關鍵元件及配以最優版圖以實現最優開關性能。此外，電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形及計算效率。隨EPC9016開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的速查指南，內載有詳細資料。
宜普電源轉換公司（EPC）推出採用具亞納秒範圍內開關速度的氮化鎵電晶體並適用於10 MHz頻率以上硬開關應用的開發板
EPC公司推出採用半橋式拓撲並配備一個板載柵極驅動器的開發板，可簡化對超高頻、高性能的EPC8000氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）系列進行評估。
EPC公司推出全新開發板系列(型號由EPC9022 至 EPC9030)，可簡化對超高頻氮化鎵（eGaN）功率電晶體EPC8000產品系列進行評估。
由於EPC8000系列的高頻氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）在亞納秒範圍內開關，因此適用於10 MHz頻率以上的硬開關應用，使得功率及射頻電晶體的分界線變得模糊！我們設計它們工作在10 MHz頻率下。即使在10 MHz以上時，這些產品也具有非常高的小信號射頻性能，並且在低吉赫茲頻率範圍內具有高增益，使得這些器件成為射頻應用中極具競爭力的一個選擇。對於需要具極速開關性能的功率電晶體的應用如無線電源、採用65 V及100 V器件的波峰追蹤等應用，它們是理想器件。
EPC8000 系列的產品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力可供選擇。
為了簡化對高頻、高性能的氮化鎵場效應電晶體進行評估，宜普公司為這個全新產品系列內的每一個器件提供開發板。每塊開發板是塊2英寸x1.5英寸單板，內含兩個氮化鎵場效應電晶體，使用半橋式配置，最低開關頻率為500 KHz。板上集成了所有關鍵元件以實現最高頻開關性能。此外，電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單波形及計算效率。
EPC8000 產品系列規格及相關開發板
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eGaN FET
Part Number |
VDS (V)
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RDS(on) Max (mΩ) (VGS = 5 V,
ID =0.5 A) |
Peak ID Min (A) (Pulsed, 25 °C,
Tpulse = 300 μs) |
Development Board
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EPC8004
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40
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125
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7.5
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EPC9024
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EPC8007
|
40
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260
|
6
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EPC9027
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EPC8008
|
40
|
325
|
2.9
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EPC9028
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EPC8009
|
65
|
138
|
7.5
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EPC9029
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EPC8005
|
65
|
275
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3.8
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EPC9025
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EPC8002
|
65
|
530
|
2
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EPC9022
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EPC8010
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100
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160
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7.5
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EPC9030
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EPC8003
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100
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300
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4
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EPC9023
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