2014年5月20日--隨著高資料傳輸率的應用為LTE無線網路帶來更大壓力，業界需要具創意的解決方案如小型蜂巢基地台(small cell base stations, BTS)和載波聚合(carrier aggregation)等來縮小高流量區的頻寬差距。為了回應更廣泛的頻寬需求，科銳公司(Nasdaq: CREE)發表了氮化鎵(GaN) HEMT 射頻電晶體系列，提供業界領先的頻寬和高效率性能，以支援當今繁忙的LTE網路。新型的科銳GaN HEMT 射頻電晶體以塑膠雙扁平無引線(dual-flat no-leads, DFN) 表面黏著封裝提供，為設計人員提供可負擔的方式，在這些應用中取代效率較低的矽(Si)或砷化鎵(GaAs)電晶體。
科銳的射頻業務單位銷售與行銷總監Tom Dekker表示：「長串資料應用日益增加的趨勢帶動了小型蜂巢式基地台(small cell)的開發需求，以改善無線網路的性能。我們產業領先的氮化鎵(GaN)技術為我們小型蜂巢式基地台客戶提供所要求的理想頻寬、靈活性、效率和負擔能力。」
新的GaN HEMT DFN產品系列包括28V和50V、15W和30W的獨步電晶體。這些頻率捷變(frequency-agile)電晶體能夠在700MHz和3.8GHz瞬時頻率的範圍內運作，而且在頻寬分割時可以最佳化。多頻段功能創造了設計靈活性，協助小型蜂巢基地台原始設備製造商(OEM)加速產品上市，並讓營運商為不同的市場需求重新配置相同的小型蜂巢單元。
在高效率的應用方面，科銳的GaN HEMT射頻電晶體可協助縮減LTE蜂巢網路發射器的尺寸和重量，並簡化散熱管理，而這些效率的提升為營運成本帶來顯著的節源效果。科銳開發的Doherty參考設計CDPA27045，採用15W和30W的HEMT DFN電晶體，展示了該項技術的出色效率。在LTE 7.5dB高峰值對均值比(peak-to-average ratio)訊號的條件下，該設計在10W平均功率時可提供約50%的汲極效率 (drain efficiency)，並在覆蓋2.5-2.7 GHz瞬時射頻頻寬的同時提供16dB的線性增益。
新的氮化鎵(GaN) HEMT DFN射頻電晶體系列是建立於經科銳驗證合格的50V、0.4µm閘極長度製程。CGH27030S (30W, 28V, 0.4µm)、CGHV27015S (15W, 50V, 0.4µm)和CGHV27030S (30W, 50V, 0.4µm) 等GaN HEMT電晶體現已提供樣品和參考設計。
關於科銳 (Cree)
科銳是照明級LED、LED照明，以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。
科銳的產品系列包括LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動通用照明、背光照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。
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