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科銳針對低成本雷達和資料鏈結推出最高功率和頻率之塑膠封裝氮化鎵電晶體

本文作者：科銳點擊： 2014-05-22 10:46

前言：

在功率達到100W、連續波和工作頻率達到10GHz的條件下小型的射頻電晶體是砷化鎵 IMFET和商用管型放大器的理想替代品

2014拭上5月22日--科銳公司 (Nasdaq: CREE)推出業界最高功率連續波(continuous wave, CW)氮化鎵(GaN) HEMT射頻電晶體，以雙扁平無引線(DFN)格式封裝。針對成本敏感的sub-100W商用雷達和資料鏈結 (data link) 放大器市場領域，這款新的6瓦特和25瓦特DFN封裝電晶體能有效淘汰使用C頻段和X頻段的低效率砷化鎵(GaAs)電晶體，同時可實際替代用於商用雷達應用，例如天氣、海洋和監視等方面短壽命的管型技術。

科銳的氮化鎵DFN電晶體建基於公司經驗證的40V、0.25 µm閘極長度的高頻率製程，提供雙倍的PSAT效率和砷化鎵 IMFET電晶體增益，和其他在功率水平及頻率接近的產品相比，其封裝尺寸減小了將近20倍。在企業用的高容量微波資料鏈結、點對點(point-to-point)以及空中(airborne)通訊網路方面，新的電晶體擴大了通訊範圍，同時提供高於砷化鎵放大器兩倍的線性效率。較高的效率給予射頻(RF)設計人員在減小放大器的尺寸和重量上所需的靈活性，從而大幅降低操作及總使用壽命的成本(total lifecycle costs)。

科銳射頻業務單位銷售與行銷總監Tom Dekker表示：「多年來商用微波雷達發射器一直受限於使用壽命不佳的管型放大器，而帶來極高的維護成本。在過去，高容量的資料鏈結只能使用效率低的砷化鎵IMFET。我們新的氮化鎵DFN電晶體，以負擔得起的價格提供卓越的效率和功率性能，讓低功耗、對成本敏感的商用系統，可終於可以替換這些傳統技術。」

新的DFN裝置也為科銳兩款受歡迎的產品：使用X頻段的CGHV96100和CGHV96050F2完全匹配型場效電晶體(FET) 提供優異的驅動程式，讓處於輸出和驅動階段的電晶體能以相同的電壓軌(voltage rail)工作。與混合式電壓電晶體的陣容相比，這樣可以實現方便、穩壓電源配電及節省電路板空間。

善用C頻段和X頻段的CGHV1F006S (6W) 和CGHV1F025S (25W) 氮化鎵DFN電晶體的樣品和參考設計現在已開始供應。大型訊號模型也可用於安捷倫(Agilent)的ADS和AWR的Microwave Office模擬器。請參閱網站www.cree.com/affordableGaN

關於科銳 (Cree)

科銳是照明級LED、LED照明，以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。

科銳的產品系列包括LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動一般照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。

要瞭解有關科銳和產品的更多資訊，請參閱公司網站www.cree.com。

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