大聯大控股詮鼎推出TOSHIBA電源管理解決方案
前言：
系列電源管理IC產品包括中高壓MOSFET、SiC肖特基位障二極體、負載開關IC，以及光耦合器
2014年6月3日--致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下詮鼎將推出TOSHIBA電源管理解決方案，系列電源管理IC產品包括中高壓MOSFET、SiC肖特基位障二極體、負載開關IC，以及光耦合器，分述如下：
中高壓MOSFET：
TOSHIB最新的超級結（Super-Junction）600 V DTMOS IV MOSFET系列使用特殊的先進單外延製程，相比DTMOS III，DTMOS IV提供了一個減少30％的Ron•A。減少Ron•A在同一個包裝，它可以容納下更低Ron•A，這有助於提高工作效率和減少電源的損耗。
產品特色：
減少30％的Ron•A，MOSFET的品質因數
在高溫下擁有更低的導通電阻的增加
開關損耗減少12％
可提供廣泛的導通電阻RDS（ON）：0.9Ω - 0.018Ω
提供各式封裝
TOSHIB最新的超級結（Super-Junction）600 V DTMOS IV MOSFET系列使用特殊的先進單外延製程，相比DTMOS III，DTMOS IV提供了一個減少30％的Ron•A。減少Ron•A在同一個包裝，它可以容納下更低Ron•A，這有助於提高工作效率和減少電源的損耗。
產品特色：
減少30％的Ron•A，MOSFET的品質因數
在高溫下擁有更低的導通電阻的增加
開關損耗減少12％
可提供廣泛的導通電阻RDS（ON）：0.9Ω - 0.018Ω
提供各式封裝
SiC肖特基位障二極體（SBD）：
因採用了一個碳化矽（SiC）和寬能隙半導體，SiC肖特基位障二極體能提供使用矽材料肖特基位障二極體時所無法實現的高擊穿電壓。作為一個單極性元件，SiC 肖特基位障二極體具有非常短的逆向恢復時間和溫度獨立的開關特性，使它們非常適合替代Si快速回復二極體（FRD）的應用，以提高電源效率。其應用範圍包括功率因素校正電路、太陽能變頻器，以及不斷電系統。
產品特色：
在順向電流（IF）為4A/mm2和高溫區域條件下，SiC 肖特基位障二極體產品TRS6E65C的順向電壓約比Si快速回復二極體產品5JUZ47高出40%。但是，在400V逆向電壓（VR）的條件下，TRS6E65C比5JUZ47的高溫漏電約低97%。
SiC 肖特基位障二極體比Si 快速回復二極體提供更短的逆向復原時間。
SiC肖特基位障二極體的逆向復原時間對於溫度不敏感。
雖然SiC肖特基位障二極體的導通損耗高於Si快速回復二極體，但SiC肖特基位障二極體具有較低的切換損耗，所以總體損耗有所降低。
因採用了一個碳化矽（SiC）和寬能隙半導體，SiC肖特基位障二極體能提供使用矽材料肖特基位障二極體時所無法實現的高擊穿電壓。作為一個單極性元件，SiC 肖特基位障二極體具有非常短的逆向恢復時間和溫度獨立的開關特性，使它們非常適合替代Si快速回復二極體（FRD）的應用，以提高電源效率。其應用範圍包括功率因素校正電路、太陽能變頻器，以及不斷電系統。
產品特色：
在順向電流（IF）為4A/mm2和高溫區域條件下，SiC 肖特基位障二極體產品TRS6E65C的順向電壓約比Si快速回復二極體產品5JUZ47高出40%。但是，在400V逆向電壓（VR）的條件下，TRS6E65C比5JUZ47的高溫漏電約低97%。
SiC 肖特基位障二極體比Si 快速回復二極體提供更短的逆向復原時間。
SiC肖特基位障二極體的逆向復原時間對於溫度不敏感。
雖然SiC肖特基位障二極體的導通損耗高於Si快速回復二極體，但SiC肖特基位障二極體具有較低的切換損耗，所以總體損耗有所降低。
負載開關IC：
負載開關IC和電源IC，其中包含一個輸出MOSFET和輸出驅動器採用CMOS工藝製造。負載開關IC版本提供了小面積的解決方案。此外，負載開關IC可提供低工作電壓，低導通電阻和低電流消耗，並提供額外的功能。超小型封裝，尺寸小於1平方毫米，TOSHIBA的負載開關IC在可攜式應用的空間考量下，是理想的解決方案選擇。
負載開關IC和電源IC，其中包含一個輸出MOSFET和輸出驅動器採用CMOS工藝製造。負載開關IC版本提供了小面積的解決方案。此外，負載開關IC可提供低工作電壓，低導通電阻和低電流消耗，並提供額外的功能。超小型封裝，尺寸小於1平方毫米，TOSHIBA的負載開關IC在可攜式應用的空間考量下，是理想的解決方案選擇。
光耦合器/光繼電器：
THOSHABA的光耦產品應用領域相當廣泛，從逆變器和半導體測試系統等工業設備，一直到空調和光伏發電系統等家用電器和房屋設備。TOSHIBA提供的光耦包括一個大功率紅外線LED和一個採用最新工藝技術的光電探測器。這些光耦經主要的國際安全標準認證，能提供高的隔離電壓和低功耗，所以非常適合對安全和環保具有高要求的應用領域。
THOSHABA的光耦產品應用領域相當廣泛，從逆變器和半導體測試系統等工業設備，一直到空調和光伏發電系統等家用電器和房屋設備。TOSHIBA提供的光耦包括一個大功率紅外線LED和一個採用最新工藝技術的光電探測器。這些光耦經主要的國際安全標準認證，能提供高的隔離電壓和低功耗，所以非常適合對安全和環保具有高要求的應用領域。
THOSHIBA的全新多量子阱（MQW）結構大功率紅外線LED可廣泛應用於各類光耦中，如IC輸出和電晶體輸出光耦。因採用了MQW LED的高可靠性設計，這些光耦能支援的工作溫度高達125°C，這是業界內的最高水準，同時還具有超長的使用壽命。利用大功率LED的特點，THOSHIBA也提供可支援低至1mA LED電流進行工作的廣泛的光耦產品陣容。這些光耦可直接由一個微控制器進行驅動，而無需中間緩衝器，這有助於減小系統功耗。
關於大聯大控股：
大聯大控股是亞太區最大的半導體零組件通路商，總部位於臺北（TSE:3702），旗下擁有世平集團、品佳集團、詮鼎集團及友尚集團，員工人數近6,000人，代理產品供應商超過250家，全球超過130個分銷據點（亞太區約80個），2013年營業額達136億美金（自結）。
大聯大控股是亞太區最大的半導體零組件通路商，總部位於臺北（TSE:3702），旗下擁有世平集團、品佳集團、詮鼎集團及友尚集團，員工人數近6,000人，代理產品供應商超過250家，全球超過130個分銷據點（亞太區約80個），2013年營業額達136億美金（自結）。
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