當前位置: 主頁 > 新品報到 >
 

飛思卡爾推出第二代Airfast功率放大器解決方案,擴大RF技術領導地位

本文作者:飛思卡爾       點擊: 2014-06-04 08:14
前言:
Airfast RF功率LDMOS元件突破百分之50的Doherty效率障礙
2014年6月2日--(國際微波討論會)-RF功率業界龍頭飛思卡爾半導體(NYSE: FSL)推出第二代的Airfast™ RF功率解決方案,足以為先進無線基礎架構設施,如GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和TD-LTE應用,提供全新的效能等級。
 
飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案承續前一代包括28伏特的離散式單階功率放大器的成功而且可靠的效能。飛思卡爾沿用並改進第一代的Airfast電路、晶圓、對應網路和封裝技術,以新一代的Airfast技術,再度達成另一個業界里程碑,新技術包括首度引進RF功率LDMOS零件,讓Doherty架構達到百分之50的效益。此外,第二代的Airfast功率放大器擴展了產品系列的種類,納入兩階式積體電路,並將多重增益階段整合至單一封裝當中;此外也加入新的氮化鎵(GaN)和48伏特LDMOS製程技術等等。
 
新元件背後還擁有為數廣泛的客戶解決方案與支援。與應用有關的參考設計讓客戶在設計和研製各種通用系統的架構和指示時可以有一個立足點。
飛思卡爾RF事業群資深副總裁暨總經理Paul Hart表示:「第二代Airfast解決方案為客戶提升了性能、效益和上市速度的門檻,作為RF功率放大器的業界龍頭,我們的新元件跨越了蜂巢式標準的領域,將飛思卡爾在無線市場的創意拓展至全新境界。」
 
產品細節
第二代Airfast產品初期推出的種類有:
• A2T07H310-24S-300瓦的非對稱Doherty電晶體,專供720-960 MHz之間頻帶的無線基礎設施應用。在Doherty架構下,此元件在8 dB back-off和55 dBm的巔峰功率時,可突破百分之50的效益障礙,採用NI-1230S-4L2L封裝時可達到18.9 dB的增益。
• A2T07D160W04S-160瓦的雙徑電晶體,專供728-960 MHz之間頻帶的無線基礎設施應用。在Doherty架構下,此元件在7 dB的輸出 back-off及52.5 dBm巔峰功率下擁有百分之51的效益,採用NI-780S-4L封裝時可達21.5 dB的增益。
• A2T26H160-24S-160瓦的RF非對稱Doherty電晶體,專供2496-2690 MHz之間頻帶的無線基礎設施應用。在Doherty架構下,此元件在8 dB back-off與52.5 dBm巔峰功率時有百分之47的效益,採用NI-780S-4L2L封裝時的增益達15.7 dB。
• A2I25D012N-12瓦的RF積體電路,專供2300-2690 MHz之間頻帶的無線基礎設施應用。在Doherty架構下,此元件在8 dB的輸出back-off及43.5 dBm巔峰功率下可達到百分之41的效益,採用新式TO-270WB-15塑膠封裝時可以有29 dB的增益。
• A2I22D050N-50瓦的RF積體電路,專供2000-2200 MHz之間頻帶的無線基礎設施應用。在Doherty架構下,此元件在8 dB的輸出back-off及49 dBm巔峰功率下有百分之42的效益,採用新式TO-270WB-15塑膠封裝時增益值達到28 dB。

       

關於Airfast RF功率解決方案
Airfast RF功率解決方案的設計,目的是要同時滿足對於效率提升、巔峰功率、以及訊號頻寬等需求,並兼顧必須抑制成本的壓力。該產品具有傑出的效能和能源效益,並且採用了多種製程技術,如LDMOS、砷化鎵和氮化鎵。
 
價格與供貨方式
關於價格資訊與查詢樣品事項,請洽當地飛思卡爾業務代表。其他關於飛思卡爾RF功率LDMOS解決方案的詳情,可參閱
www.freescale.com/RFpower
 
關於飛思卡爾
飛思卡爾半導體(美國紐約證券交易所代號FSL)是內嵌式處理解決方案的世界級領導者,產品廣泛用於汽車、消費電子、工業、及網路市場。從微處理器及微控制器到感測器、類比整合電路及連結,是促使我們的世界更綠色環保、安全、健康、且更相連的創新的基礎技術。其中某些關鍵性的應用及終端市場包括:汽車安全、油電混合及純電動車輛、下一代無線基礎建設、智慧型能源管理、行動式醫療裝置、消費性產品及智慧型行動裝置。本公司總部位於美國德州奧斯丁市,在全球各地分設有設計、研發、製造、及銷售據點。
www.freescale.com

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11