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IR 60V StrongIRFET MOSFET擴充系列備有標準和高效能功率封裝極低導通電阻適合工業應用

本文作者:IR       點擊: 2014-07-07 12:25
前言:
2014年7月7日--全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,並提供多種標準和高效能功率封裝選擇。全新MOSFET備有極低的導通電阻 (RDS(on)),適合電力工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流等多種工業應用。
 

 
經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式和表面黏著封裝選擇,其中IRF7580M元件採用超薄精密的中型罐 (ME) DirectFET封裝,可提供高電流密度,還有效縮減整體系統尺寸及降低成本,因而非常適合受空間限制的高功率工業設計。
 
新的60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款元件,全部配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻、極高的載電流能力、軟本體二極體,以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。
 
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列提供多種封裝選擇,並具有針對工業市場的低導通電阻和高電流能力,使設計師能夠基於性價比準則靈活選擇最適合其應用的元件。」
 
與DirectFET系列的其他元件一樣,全新IRF7580M中型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外,DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單,因而適合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片,雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限,但豁免將於2016年到期。
 
規格
採用表面黏著封裝的60V StrongIRFET
元件編號
BVDSS
25ºC下的ID
VGS=10V下的最高導通電阻
VGS=10V下的Qg
封裝
IRF7580M
60V
116A
3.6
120
中型罐 (ME) DirectFET
IRFS7530-7P
240A
1.4
256
D2-PAK-7
IRFS7534-7P
240A
1.9
200
D2-PAK-7
IRFS7530
195A
2.0
274
D2-PAK
IRFS7534
195A
2.4
180
D2-PAK
IRFH7085
100A
3.2
110
PQFN 5x6 (B)
IRFR7540
110A
4.8
85
D-PAK
IRFS7537
195A
3.3
142
D2-PAK
IRFS7540
110A
5.1
88
D2-PAK
IRFH7545
85A
5.2
73
PQFN 5x6 (E)
IRFR7546
71A
7.9
58
D-PAK
 
採用穿孔式封裝的60V StrongIRFET
元件編號
BVDSS
25ºC下的ID
VGS=10V下的最高導通電阻
VGS=10V下的Qg
封裝
IRFB7530
60V
 
195A
2.0
274
TO-220
IRFP7530
2.0
274
TO-247
IRFB7534
2.4
186
TO220
IRFB7537
3.3
142
TO-220
IRFP7537
3.3
142
TO-247
IRFB7540
110A
5.1
88
TO-220
IRFB7545
85A
5.9
75
IRFB7546
58A
7.3
58
 
產品現正接受批量訂單。數據資料及SPICE模型已於IR的網站http://www.irf.com提供。
 
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com

 

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