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IR 60V StrongIRFET MOSFET擴充系列備有標準和高效能功率封裝極低導通電阻適合工業應用

本文作者：IR 點擊： 2014-07-07 12:25

前言：

2014年7月7日--全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，並提供多種標準和高效能功率封裝選擇。全新MOSFET備有極低的導通電阻 (RDS(on))，適合電力工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流等多種工業應用。

經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式和表面黏著封裝選擇，其中IRF7580M元件採用超薄精密的中型罐 (ME) DirectFET封裝，可提供高電流密度，還有效縮減整體系統尺寸及降低成本，因而非常適合受空間限制的高功率工業設計。

新的60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款元件，全部配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列提供多種封裝選擇，並具有針對工業市場的低導通電阻和高電流能力，使設計師能夠基於性價比準則靈活選擇最適合其應用的元件。」

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新IRF7580M中型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，因而適合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

規格
採用表面黏著封裝的60V StrongIRFET

元件編號	B_VDSS	在25ºC下的I_D	在V_GS=10V下的最高導通電阻	在V_GS=10V下的Qg	封裝
IRF7580M	60V	116A	3.6	120	中型罐 (ME) DirectFET
IRFS7530-7P		240A	1.4	256	D2-PAK-7
IRFS7534-7P		240A	1.9	200	D2-PAK-7
IRFS7530		195A	2.0	274	D2-PAK
IRFS7534		195A	2.4	180	D2-PAK
IRFH7085		100A	3.2	110	PQFN 5x6 (B)
IRFR7540		110A	4.8	85	D-PAK
IRFS7537		195A	3.3	142	D2-PAK
IRFS7540		110A	5.1	88	D2-PAK
IRFH7545		85A	5.2	73	PQFN 5x6 (E)
IRFR7546		71A	7.9	58	D-PAK

採用穿孔式封裝的60V StrongIRFET

元件編號	B_VDSS	在25ºC下的I_D	在V_GS=10V下的最高導通電阻	在V_GS=10V下的Qg	封裝
IRFB7530	60V	195A	2.0	274	TO-220
IRFP7530			2.0	274	TO-247
IRFB7534			2.4	186	TO220
IRFB7537			3.3	142	TO-220
IRFP7537			3.3	142	TO-247
IRFB7540		110A	5.1	88	TO-220
IRFB7545		85A	5.9	75
IRFB7546		58A	7.3	58

產品現正接受批量訂單。數據資料及SPICE模型已於IR的網站http://www.irf.com提供。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

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