2014年7月7日--面向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球主要供應商科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）今天推出了用於生產3D NAND記憶體的新型薄膜沉積和等離子體蝕刻產品。隨著記憶體客戶開始擴大這些新器件的生產，他們需要更好的工藝控制技術來進行高成本效益的製造。科林研發的新系統在三個重要方面滿足了3D NAND存儲單元的生產需求：堆疊沉積（VECTOR(R) Q Strata(TM)）、垂直通道蝕刻（2300(R) Flex F系列）和鎢字元線沉積（ALTUS(R) Max ICEFill）。
3D NAND存儲架構包含許多堆疊的薄膜對。為了使成品器件中的每一個存儲單元都具有相同的性能，必須在每一個關鍵步驟中最大限度地減小水準和垂直方向的工藝誤差。否則，一個步驟中的誤差會被轉移到後續步驟中，並在後續步驟中成倍放大，誤差的累積會導致器件性能變差，成品率低。由於薄膜堆疊中有40對以上的薄膜，所以仔細控制即使輕微的誤差也是至關重要的。科林研發的新產品能滿足這些嚴格的控制要求。
新的VECTOR Q Strata PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）系統被用於沉積多層薄膜堆疊。針對3D NAND制程中的這個關鍵步驟，該系統能夠實現氧化物/氮化物（ONON）和氧化物/多晶矽（OPOP）薄膜堆疊沉積。該系統匹配的反應室具有超低的缺陷率、薄膜應力和晶圓翹曲度，能沉積超光滑、一致的薄膜，避免複合誤差。VECTOR Q Strata還提供業界領先的生產率，單位廠房面積的產量是目前最高的。隨著這些堆疊中的薄膜層數不斷增加，對高成本效益的生產來說，高生產率日益重要。
一旦成對薄膜堆疊被沉積好，便可用科林研發的2300 Flex F系列介電薄膜蝕刻產品蝕刻一個穿透這個堆疊的垂直通道。這個新系統能夠在變形或側壁損壞最小的前提下刻穿高深寬比的結構，而且還能嚴格控制整個晶圓蝕刻輪廓的均勻性。這種技術能力至關重要，因為即便是小的偏差也能導致存儲單元間的通道尺寸不同，進而導致器件性能變化。一個專利的可調節能量的高離子能源可以滿足這些要求。
ALTUS Max ICEFill系統是科林研發市場領先的鎢沉積產品線中的最新產品，該系統通過無縫隙地填滿形狀複雜的3D NAND字元線來控制誤差。這個新系統使用一項擁有專利的填充技術，利用由內而外的原子層沉積（ALD）工藝創建鎢字元線。ICEFill工藝能完全填充橫向（水準）線，且沒有任何空隙，同時還能最低限度地減小垂直通道區的沉積。因此提高了器件的電氣性能和產量。
科林研發負責全球產品的執行副總裁Rick Gottscho表示："科林研發通過專注協作，正在開展更快、更有效的創新，為我們的客戶提供所需的支援能力。憑藉客戶和研發合作夥伴的支持及專業知識，科林研發現在推出了三款產品――VECTOR Q Strata、2300 Flex F系列和ALTUS Max ICEFill――這些產品在開發3D NAND記憶體件和提高它們的產量上將發揮關鍵作用。"
關於科林研發
科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）是向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助於客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的晶片制程，並獲得面積更小、速度更快、功耗更低的晶片。科林研發憑藉合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，説明客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位於加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。瞭解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
新的VECTOR Q Strata PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）系統被用於沉積多層薄膜堆疊。針對3D NAND制程中的這個關鍵步驟，該系統能夠實現氧化物/氮化物（ONON）和氧化物/多晶矽（OPOP）薄膜堆疊沉積。該系統匹配的反應室具有超低的缺陷率、薄膜應力和晶圓翹曲度，能沉積超光滑、一致的薄膜，避免複合誤差。VECTOR Q Strata還提供業界領先的生產率，單位廠房面積的產量是目前最高的。隨著這些堆疊中的薄膜層數不斷增加，對高成本效益的生產來說，高生產率日益重要。
一旦成對薄膜堆疊被沉積好，便可用科林研發的2300 Flex F系列介電薄膜蝕刻產品蝕刻一個穿透這個堆疊的垂直通道。這個新系統能夠在變形或側壁損壞最小的前提下刻穿高深寬比的結構，而且還能嚴格控制整個晶圓蝕刻輪廓的均勻性。這種技術能力至關重要，因為即便是小的偏差也能導致存儲單元間的通道尺寸不同，進而導致器件性能變化。一個專利的可調節能量的高離子能源可以滿足這些要求。
ALTUS Max ICEFill系統是科林研發市場領先的鎢沉積產品線中的最新產品，該系統通過無縫隙地填滿形狀複雜的3D NAND字元線來控制誤差。這個新系統使用一項擁有專利的填充技術，利用由內而外的原子層沉積（ALD）工藝創建鎢字元線。ICEFill工藝能完全填充橫向（水準）線，且沒有任何空隙，同時還能最低限度地減小垂直通道區的沉積。因此提高了器件的電氣性能和產量。
科林研發負責全球產品的執行副總裁Rick Gottscho表示："科林研發通過專注協作，正在開展更快、更有效的創新，為我們的客戶提供所需的支援能力。憑藉客戶和研發合作夥伴的支持及專業知識，科林研發現在推出了三款產品――VECTOR Q Strata、2300 Flex F系列和ALTUS Max ICEFill――這些產品在開發3D NAND記憶體件和提高它們的產量上將發揮關鍵作用。"
關於科林研發
科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）是向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助於客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的晶片制程，並獲得面積更小、速度更快、功耗更低的晶片。科林研發憑藉合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，説明客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位於加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。瞭解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
