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科林研發推出減小工藝誤差和支持多次曝光的蝕刻和沉積設備

本文作者:科林研發       點擊: 2014-07-10 08:26
前言:
2014年7月7日--面向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球主要供應商科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼:LRCX)今天推出兩款新產品,這些產品能為先進曝光工藝提供嚴格的工藝控制和生產率。多次曝光策略依賴蝕刻和沉積工藝擴大光刻技術的運用,包含越來越多的工藝步驟。科林研發的2300(R) Kiyo(R) F系列導體蝕刻系統採用一項突破性的技術――Hydra(TM) Uniformity系統――通過跨晶圓的工藝控制技術糾正曝光圖案的不均勻性。VECTOR(R) ALD Oxide系統利用原子層沉積(ALD)形成高保形介電薄膜,這種薄膜被用來在一系列多次曝光中確定關鍵圖案尺寸。
 
晶片製造商使用兩次曝光和四次曝光方案彌補光刻技術的局限性。與單次曝光相比,多次曝光可以獲得更小的制程,其原理是先製作面積較大、密度較低的圖案,再縮小尺寸和間隔,然後通過反復使用光刻/蝕刻/沉積步驟來獲得理想的尺度。隨著工藝步驟的增加,工藝誤差也隨之增加,因為每一個步驟都會增加一些不均勻性。在這種疊加效應下,為了器件能夠符合要求,必須嚴格控制蝕刻和沉積工藝的誤差極限。由於工藝誤差會影響器件的性能、功耗和產量,導致耗資費時的返工,因此工藝控制至關重要。除誤差控制外,為了緩解工藝步驟增加所造成的製造成本上升,高生產率也是必需的。
 
科林研發的最新導體蝕刻產品2300 Kiyo F系列使用Hydra技術糾正晶圓的臨界尺寸(CD)不均勻性,解決曝光誤差問題。該系統的對稱反應室就是為提供均勻蝕刻工藝設計的,同時Hydra技術通過局部糾正,進一步提高了均勻性。這項技術使用擁有專利的軟硬體,在晶圓的"微"區域映射臨界尺寸並調整蝕刻工藝條件以減少誤差,因而彌補了上游工藝產生的誤差。
 
VECTOR ALD Oxide系統利用原子級沉積形成具備卓越的厚度均勻性、高重複性和低缺陷率的高保形薄膜。這些性能對基於隔片的多次曝光方法至關重要,在這種方法裡,沉積好的薄膜成為掩膜,為後續步驟確定關鍵的圖案尺寸。VECTOR ALD Oxide系統能夠在低溫條件下沉積薄膜,可在各種各樣的材料上形成隔片。此外,該系統還在硬體上支援氣體快速開關,與競爭系統相比具備生產率優勢。
 
科林研發負責全球產品的執行副總裁Rick Gottscho表示:"科林研發為多次曝光應用所開發的先進技術正説明我們的客戶克服最基本的難題之一。"為保持創新,科林研發採取了一系列措施,包括最近宣佈加入IMEC(校際微電子中心)為開發先進曝光解決方案而成立的供應商中心。Gottscho最後表示:"隨著晶片製造商不斷縮小晶片設計的尺度,我們的蝕刻和沉積系統對拓展光刻技術,開發面積更小、密度更高的先進半導體產品來說變得越來越重要。"
 
關於科林研發 
科林研發(Lam Research Corp.)(納斯達克股票代碼:LRCX)是向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助於客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的晶片制程,並獲得面積更小、速度更快、功耗更低的晶片。科林研發憑藉合作、持續創新和恪守承諾,正在向原子級技術轉型,説明客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位於加利福尼亞州弗里蒙特,是標普500指數成分股公司,公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市,股票代碼LRCX。瞭解詳情,請訪問:http://www.lamresearch.com

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