2014年7月7日--面向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球主要供應商科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）今天宣佈為其原子層沉積（ALD）設備組合增加了原子層蝕刻（ALE）功能。為2300(R) Kiyo(R) F系列導體蝕刻系統新增加的ALE功能為新一代晶圓工藝技術提供了原子級的誤差控制能力。科林研發還擁有用於介電薄膜ALD的VECTOR(R) ALD Oxide產品和用於鎢金屬薄膜ALD的ALTUS(R)系統，這些產品有助於半導體行業向原子級晶片製造技術轉型。
隨著制程尺度的不斷縮小和新器件架構的引入，在製造過程中控制工藝誤差變得越來越具有挑戰性。展望新一代技術規格，制程尺寸的誤差很快將達到只有幾個原子大小。此外，器件的深寬比也在不斷擴大，圖形也越來越複雜。對大多數高級結構而言，常規等離子體蝕刻和沉積工藝已無法滿足它們的工藝要求，必須尋找新的方法。ALE和ALD提供了一個解決方案，它採用多步工藝迴圈，每次沉積或除掉幾個原子層，以此確保精確的控制。不過，該解決方案的難點是，如何提供足夠高的生產率，以使這些工藝適合成本敏感的生產過程。
科林研發為2300 Kiyo F系列導體蝕刻系統增加的ALE功能為生產過程提供了所需的生產率和技術。該產品利用反應器中的氣體快速開關和高級等離子體技術提高生產率，同時在高深寬比（深而窄）的制程中利用動態射頻偏壓進行定向蝕刻。2300 Kiyo F系列系統是科林研發市場領先的Kiyo設備組合中的最新產品，它憑藉對稱的反應室設計、先進的靜電夾頭技術和獨立的工藝優化功能，提供了卓越的一致性和可重複性。
最新發佈的VECTOR ALD Oxide系統可沉積介電薄膜，用作FinFET結構和矽通孔（TSV）結構所需的襯墊和隔片，以及多重曝光方案所用的隔片。該系統通過原子級控制技術縮小誤差，而且即使在非常具有挑戰性的高深寬比制程中也能沉積高保形ALD薄膜。VECTOR ALD Oxide系統還能提供和其他系統相當或更好的生產率，具有總體擁有成本優勢。該系統還具有單晶圓工藝的迴圈時間優勢。
科林研發行業領先的ALTUS產品系列是鎢薄膜生產的基準，已多年用於鎢和氮化鎢合金的原子層沉積。它採用專利的沉積技術和系統架構，可以沉積具有低電阻率的高保形金屬薄膜。ALTUS ALD工藝還能完全填充高級記憶體與邏輯應用中常見的凹入結構。
科林研發高級副總裁兼首席技術官Dave Hemker表示："半導體行業在不斷積極縮小器件尺寸，而這需要新的製造方法----特別是在蝕刻和沉積工藝方面。通過持續創新，我們用新型原子級工藝技術滿足了這方面的需求，為晶片製造商提供了製造新一代器件所需的高級技術、工藝控制和生產能力。"
關於科林研發
科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）是向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助於客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的晶片制程，並獲得面積更小、速度更快、功耗更低的晶片。科林研發憑藉合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，説明客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位於加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。瞭解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
隨著制程尺度的不斷縮小和新器件架構的引入，在製造過程中控制工藝誤差變得越來越具有挑戰性。展望新一代技術規格，制程尺寸的誤差很快將達到只有幾個原子大小。此外，器件的深寬比也在不斷擴大，圖形也越來越複雜。對大多數高級結構而言，常規等離子體蝕刻和沉積工藝已無法滿足它們的工藝要求，必須尋找新的方法。ALE和ALD提供了一個解決方案，它採用多步工藝迴圈，每次沉積或除掉幾個原子層，以此確保精確的控制。不過，該解決方案的難點是，如何提供足夠高的生產率，以使這些工藝適合成本敏感的生產過程。
科林研發為2300 Kiyo F系列導體蝕刻系統增加的ALE功能為生產過程提供了所需的生產率和技術。該產品利用反應器中的氣體快速開關和高級等離子體技術提高生產率，同時在高深寬比（深而窄）的制程中利用動態射頻偏壓進行定向蝕刻。2300 Kiyo F系列系統是科林研發市場領先的Kiyo設備組合中的最新產品，它憑藉對稱的反應室設計、先進的靜電夾頭技術和獨立的工藝優化功能，提供了卓越的一致性和可重複性。
最新發佈的VECTOR ALD Oxide系統可沉積介電薄膜，用作FinFET結構和矽通孔（TSV）結構所需的襯墊和隔片，以及多重曝光方案所用的隔片。該系統通過原子級控制技術縮小誤差，而且即使在非常具有挑戰性的高深寬比制程中也能沉積高保形ALD薄膜。VECTOR ALD Oxide系統還能提供和其他系統相當或更好的生產率，具有總體擁有成本優勢。該系統還具有單晶圓工藝的迴圈時間優勢。
科林研發行業領先的ALTUS產品系列是鎢薄膜生產的基準，已多年用於鎢和氮化鎢合金的原子層沉積。它採用專利的沉積技術和系統架構，可以沉積具有低電阻率的高保形金屬薄膜。ALTUS ALD工藝還能完全填充高級記憶體與邏輯應用中常見的凹入結構。
科林研發高級副總裁兼首席技術官Dave Hemker表示："半導體行業在不斷積極縮小器件尺寸，而這需要新的製造方法----特別是在蝕刻和沉積工藝方面。通過持續創新，我們用新型原子級工藝技術滿足了這方面的需求，為晶片製造商提供了製造新一代器件所需的高級技術、工藝控制和生產能力。"
關於科林研發
科林研發（Lam Research Corp.）（納斯達克股票代碼：LRCX）是向半導體行業提供創新的晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發市場領先的沉積、蝕刻、剝離和晶圓清洗解決方案有助於客戶成功開發粗細只有砂礫千分之一的晶片制程，並獲得面積更小、速度更快、功耗更低的晶片。科林研發憑藉合作、持續創新和恪守承諾，正在向原子級技術轉型，説明客戶塑造半導體技術的未來。科林研發總部位於加利福尼亞州弗里蒙特，是標普500指數成分股公司，公司的普通股在納斯達克全球精選市場上市，股票代碼LRCX。瞭解詳情，請訪問：http://www.lamresearch.com 。
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