EPC 推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體推動12 V轉至1.2 V負載點轉換器系統在25 A輸出電流下實現超過90%效率
前言：
EPC2100氮化鎵功率電晶體爲系統設計師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉換器系統在500 kHz、12 V轉1.2 V、10 A時實現接近93%峰值效率，以及在25 A時效率可高于90.5%。
2014年9月24日--宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2100 - 第一個可供商用的增强型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是6 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。
宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列，可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域，集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」
在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是6 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。
宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列，可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域，集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」
開發板
EPC9036開發板 的尺寸爲2英寸 乘 2英寸，包含一個EPC2100集成半橋元件，採用德州儀器的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能幷設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
· 下載EPC2100數據表
· EPC9036 速查指南
· 視頻：利用集成氮化鎵功率元件提高效率及功率密度
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司(EPC) 是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問EPC的網站www.epc-co.com.tw 。客戶可以在EPC的網頁註冊(http://bit.ly/EPCupdates)，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
