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英飛凌推出 OptiMOS™ 線性 FET 兼具低 RDS(on) 和寬廣的安全操作區域

本文作者:英飛凌       點擊: 2017-07-31 08:01
前言:
2017年7月28日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX:IFNNY) 推出 OptiMOS™ 線性 FET 系列產品,結合了先進溝槽式 MOSFET的 導通電阻 (RDS(on)) 與平面型 MOSFET 的寬廣安全操作區域,解決了需在 RDS (on) 和線性模式功能間抉擇的難題。新款OptiMOS 線性 FET 可以在強化模式 MOSFET 的飽和區運作,非常適用於電信及電池管理系統 (BMS) 中常見的熱插拔、電子熔絲和保護應用。
 

 
穩固的線性模式運作和高脈衝電流,可降低傳導損耗、加速啟動,並縮短停機時間。OptiMOS 線性 FET 可限制高湧浪電流,預防短路時發生負載損壞。
 
供貨情形
OptiMOS 線性 FET 目前提供三種電壓等級:100 V、150 V 和 200 V,皆採用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封裝。上述業界標準封裝具有相容尺寸,方便直接替換。詳細資訊請瀏覽
www.infineon.com/optimos-linearfet.
 
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商,致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2016 會計年度 (截至9月底),公司營收為 65 億歐元,全球員工約 36,300 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼:IFX),並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼:IFNNY)。

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