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英飛凌推出600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 將效能提升至更高境界

本文作者:英飛凌       點擊: 2017-11-23 14:06
前言:
2017年11月23日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS™ CFD7,讓CoolMOS 7 系列更為完備。新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求,為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度,最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用。
 

 
600 V CoolMOS CFD7 為 CoolMOS CFD2 的接續產品。新 MOSFET 產品效率較前一代產品和其他競爭產品高出 1.45%,結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度,同時保有設計流程的簡易實作性。600 V CoolMOS CFD7 除了降低閘極電荷 (Qg),關斷行為亦獲得改善。此外,其逆回復電荷 (Qrr) 比市場上其他競爭產品少了 69%。600 V CoolMOS CFD7 提供了領先業界的插件式封裝(THD) 和表面接著封裝(SMD) 解決方案,支持高功率密度產品的設計需求。
 

 
供貨情形
600 V CoolMOS CFD7 現已開始量產,且樣品已開放訂購。詳細資訊請瀏覽
www.infineon.com/cfd7
 
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商,致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2017 會計年度 (截至9月底),公司營收為 71 億歐元,全球員工約 37,500 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼:IFX),並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼:IFNNY)。

 

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