安森美半導體推出全新電源模組為太陽能和工業電源應用提供高能效與空間節省的方案
前言：
全新型功率整合模組將在Electronica展出，搭配最新智能功率模組、MOSFET、IGBT和整合馬達驅動器，用於電源轉換和馬達控制
2018年11月8日--推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出全新功率模組，在高度整合和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，新增至公司現已強固的電源半導體元件產品組合。
太陽能逆變器（inverter）、不斷電系統（uninterruptable power supply；UPS）逆變級和工業變頻驅動器（variable frequency drive；VFD）等應用中的功率級通常由離散（discrete）的IGBT／MOSFET整合專用驅動器和額外離散元件構成。安森美半導體全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模組（PIM）提供緊湊、高度整合的方案，採用易於貼裝（mountable）的封裝，節省空間與降低成本，極大化地減輕設計人員的挑戰。
這些元件採用Q1和Q2封裝，用於30 KW和50 KW逆變器，整合場截止（field stop）溝槽式（trench）IGBT和快速恢復二極體，提供更低的傳導（conduction）和開關損耗，並使設計人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗間折衷，以充分最佳化電路性能。直接覆銅（direct bond copper；DBC）基底（substrate）支援大電流，最大限度地降低寄生電感（parasitic inductances）的影響，使設計人員實現高開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離（creepage distance）提供3000 Vrms的隔離電壓。
此外，安森美半導體亦推出全新充分最佳化、超緊湊的智能功率級（smart power stage；SPS）多晶片模組FDMF3170，用於伺服器、資料中心、人工智慧加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。其整合兩個基於安森美半導體PowerTrench®技術的高性能功率MOSFET，與一個具高精準電流感測器的智能驅動器以實現最佳處理器性能。
Electronica展會上的電源轉換和馬達控制技術展示
這兩個全新功率模組將於Electronica展會期間在安森美半導體展台展示，突顯基於半導體的高能效方案對於開發成功的電源轉換和馬達控制（PCMC）設計關鍵重要。展台展示將重點展現安森美半導體的方案在工業電源、太陽能和馬達驅動器開創領先地位，並將包含一個機器人展示與太陽能和電池儲能裝置。
安森美半導體提供最廣泛的電源半導體元件產品組合，採用創新的封裝格式，支援全球邁向更潔淨、高可靠性和具成本效益的能源設計。該產品組合包含基於先進寬能隙（wide bandgap ；WBG）材料的元件、用於所有馬達類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全整合的驅動器。這些元件共同顯著提高現代應用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續推動能源革命。
關於安森美半導體
安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力於推動高效能電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商，提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片（SoC）及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫，在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱：http://www.onsemi.com。
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