2019年3月19日--碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣佈已經推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度極快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的啟動方案，具有零待機功耗，是大型返馳式AC-DC應用市場的理想之選，其中包括消費性適配器和輔助電源等應用。
控制器IC製造商可受益于較小晶片尺寸，具備極低RDS（ON）和電容。常導通式JFET在與控制器IC整合的低Qg低壓MOSFET結合使用時，有助於滿足輕載荷和空載荷下功率消耗之相關法規。
SiC JFET在應對重複的雪崩和短路時具備非常強大能力，因此SiC疊接在實用中非常牢固。SiC JFET與控制IC中的LV MOSFET串列連接，常導通式JFET的源極電壓在JFET關斷之前升至12V，IC開始切換。透過JFET的電流路徑可以用作控制器IC之啟動電源。在轉換器開始運作後，來自轉換器變壓器的輔助電源被閘控（gated-in），沒有進一步的功率損耗。
典型的低功率返馳式應用包括筆記型電腦和移動裝置充電器（20W至65 W）等消費性電子輔助裝置，其他應用還包括工業應用（如馬達驅動）的寬輸入（高達1400V）返馳輔助電源，以及長LED串等高功率照明應用。
UnitedSiC執行長Chris Dries表示：「伴隨這些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC現在已經位居業內擁有最廣泛SiC功率產品組合廠商之列，我們能夠透過晶片和離散封裝形式來提供高性能JFET功能。」
供貨
目前僅有UnitedSiC能夠提供七種晶片可供選擇，電壓額定值為從650V至1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具備三種尺寸小至0.8 mm x 0.8mm，以便於共同封裝。
目前僅有UnitedSiC能夠提供七種晶片可供選擇，電壓額定值為從650V至1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具備三種尺寸小至0.8 mm x 0.8mm，以便於共同封裝。
關於UnitedSiC
UnitedSiC開發創新的碳化矽場效應電晶體（FET）和二極體等功率半導體元件，為電動車充電系統、DC-DC轉換器和牽引驅動，以及電信/伺服器電源、可變速馬達驅動器和太陽能光伏逆變器等應用提供業界最佳的碳化矽效率和性能。
