2022年5月11日--移動應用、基礎設施與航空航太、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣佈推出新一代1200V碳化矽（SiC）場效應電晶體（FET）系列，這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表徵。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V匯流排結構，這種結構常見於電動車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、直流太陽能逆變器、焊機、不斷電供應系統和感應加熱應用。
UnitedSiC（即Qorvo）功率器件總工程師Anup Bhalla稱：“性能較高的第四代產品擴充了我們的1200V產品系列，讓我們能更好地服務於將匯流排設計電壓提高到800V的工程師。在電動車中，這種電壓升高不可避免，而這些新器件有四個不同RDS(on)等級，有助於設計師們為每個設計選擇最適合的SiC產品。”
新UF4C/SC系列的亮點就在於下表中出色的SiC FET性能表徵：
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品質因數 |
值 |
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RDS(on) • A |
1.35 mOhm-cm2 |
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RDS(on) • Eoss |
0.78 Ohm-uJ |
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RDS(on) • Coss,tr |
4.5 Ohm-pF |
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RDS(on) • Qg |
0.9 Ohm-nC |
所有RDS(on)產品（23、30、53和70毫歐）都採用行業標準4引腳開爾文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更清潔的開關。53和70毫歐器件還採用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當的熱性能基礎上實現了出色的可靠性，這種熱性能是先進的銀燒結晶粒連接方式和先進的晶圓減薄工藝帶來的結果。
FET-Jet CalculatorTM是一種免費的線上設計工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉換器拓撲中所用器件的能效、元件損耗和結溫上升。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個器件和並聯的器件，從而得到最優解決方案。
新1200V第四代SiC FET的定價（1000件起，FOB USA）從$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授權經銷商銷售。
Qorvo的碳化矽和功率管理產品可以為多種工業、商業和消費品應用提供充電、供電和控制功能。
關於 Qorvo
Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）長期堅持提供創新的射頻解決方案以實現更加美好的互聯世界。我們結合產品和領先的技術優勢、 以系統級專業知識和全球性的製造規模，快速解決客戶最複雜的技術難題。Qorvo 服務於全球市場，包括先進的無線設備、 有線和無線網路和防空雷達及通信系統。我們在這些高速發展和增長的領域持續保持著領先優勢。我們還利用我們獨特的競爭優勢，以推進 5 G 網路、 雲計算、 物聯網和其他新興的應用市場以實現人物、 地點和事物的全球互聯。訪問 www.qorvo.com 瞭解 Qorvo如何創造美好的互聯世界。
