Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極體，提升開關電源設計能效和可靠性
前言：
器件採用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低
2023年5月10日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣佈，推出17款新型第三代650 V 碳化矽（SiC）肖特基二極體。Vishay Semiconductors器件採用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。
日前發佈的新一代SiC二極體包括4A至40A器件，採用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 外掛程式封裝和D²PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用MPS結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值係數（FOM），相比上一代解決方案降低17%。
與接近的競品解決方案相比，二極體室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極體不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。
與擊穿電壓相當的矽二極體相比，SiC二極體熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極體反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 °C高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。
器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱迴圈溫度迴圈測試，測試時間和迴圈次數是AEC-Q101規定的兩倍。
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產品編號 |
IF(AV) (A) |
IFSM (A) |
IF 下VF (V) |
QC (nC) |
配置 |
封裝 |
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4 |
29 |
1.5 |
12 |
單 |
D²PAK 2L |
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6 |
42 |
1.5 |
17 |
單 |
D²PAK 2L |
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8 |
54 |
1.5 |
22 |
單 |
D²PAK 2L |
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|
10 |
60 |
1.46 |
29 |
單 |
D²PAK 2L |
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|
12 |
83 |
1.5 |
34 |
單 |
D²PAK 2L |
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|
16 |
104 |
1.5 |
44 |
單 |
D²PAK 2L |
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|
20 |
110 |
1.5 |
53 |
單 |
D²PAK 2L |
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|
4 |
29 |
1.5 |
12 |
單 |
TO-220AC 2L |
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6 |
42 |
1.5 |
17 |
單 |
TO-220AC 2L |
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8 |
54 |
1.5 |
22 |
單 |
TO-220AC 2L |
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10 |
60 |
1.46 |
29 |
單 |
TO-220AC 2L |
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12 |
83 |
1.5 |
34 |
單 |
TO-220AC 2L |
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16 |
104 |
1.5 |
44 |
單 |
TO-220AC 2L |
|
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20 |
110 |
1.5 |
53 |
單 |
TO-220AC 2L |
|
|
2 x 8 |
54 |
1.5 |
22 |
共陰極 |
TO-247AD 3L |
|
|
2 x 10 |
60 |
1.46 |
29 |
共陰極 |
TO-247AD 3L |
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2 x 20 |
110 |
1.5 |
53 |
共陰極 |
TO-247AD 3L |
新型SiC二極體現可提供樣品並已實現量產，供貨週期為八周。
VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品製造商之一，這些產品對於汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航太和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.™。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的"財富1,000 強企業"。有關Vishay的詳細資訊，敬請流覽網站 www.Vishay.com 을 참조 바랍니다.
The DNA of tech™ 是Vishay Inter technology的商標。
