2023年10月19日--美光科技（Nasdaq: MU）宣布推出 16Gb DDR5 記憶體，奠基於其領先業界的 1β 製程節點技術，美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200 MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMOS 製程、四相位時脈及時脈同步1，相較於前一代產品，效能可提升 50%2，每瓦效能功耗可降低33%3。
為因應資料中心工作負載所需，CPU內核數持續增加，為突破「記憶體牆」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對於記憶體頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光 1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力，並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平台，支援 AI 訓練及推論、生成式 AI、資料分析、記憶體資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產品在現有模組化密度中，速率可達4,800 MT/s 至 7,200MT/s，適用於資料中心及客戶端應用。
美光核心運算DRAM產品設計工程事業部企業副總裁 Brian Callaway 指出：「量產1β DDR5 DRAM 並提供給客戶及資料中心平台，是業界一大里程碑，在我們與生態系夥伴及客戶合作下，將加速高效能記憶體產品的普及。」
美光 1β 技術協助提供更廣泛的記憶體解決方案，包括使用 16Gb??24Gb??32Gb DRAM 晶粒的DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb??24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X，以及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 記憶體產品可透過直接銷售及通路夥伴提供。
業界證言：
華碩消費性產品事業處陳奕彰協理表示：「華碩作為消費型及電競高效能筆電領導品牌，如何將記憶體子系統轉換至 DDR5 是華碩關注的一大重點。我們很期待推出搭載美光 1β DDR5 記憶體的華碩與 ROG 筆電，為顧客創造出更好的使用體驗。」
Ampere Computing 產品長 Jeff Wittich 認為：「將 Ampere 的雲原生處理器搭配美光 1β DDR5 記憶體，可組成同級中最佳的運算方案，滿足超大規模客戶追求的效能、擴充性及能耗比，AmpereOne™ 平台及早整合採用速率達 7,200MT/s 的美光 1β DDR5 記憶體，將可持續推進 AI、機器學習等高效能運算應用發展。」
Cadence IP 事業群資深副總裁暨總經理 Boyd Phelps 強調：「我們很榮幸與美光合作，運用我方領導業界的 DDR5、LPDDR5X、GDDR6、HBM3 IP 系統解決方案，搭配美光世界級記憶體產品組合，共同支持適合特定應用的次世代平台，在美光先進的 1β DDR5 記憶體助力之下，我們能夠以高達 7,200MT/s 的速率評估並驗證高效能的 DDR5 IP。」
資源
1. 在美光 1βnm 裝置支援的四相位時脈架構中，JEDEC 選配 SRX/NOP Clock-Sync (CLK_SYNC) 功能可降低主機至 DRAM 工作週期的失真效應。
2. 根據理論，最大頻寬、零組件級效能提升：(7200-4800)/4800
3. 效能功耗比（理論上最大頻寬、零組件級）：Y52K 7,200MT/s vs. Y32A 4,800MT/s，計算根據為預設 Gstress 匯流排使用 7,200MT/s (58%)，並以 SPR E-step 系統量測。
關於美光科技
我們是創新記憶體和儲存空間解決方案的業界領導者，並且正在改變世界使用資訊的方式，豐富所有人的生活樣貌。美光持續關注於客戶、技術領先、卓越的製造與營運，透過美光（Micron®）和 Crucial® 品牌提供高性能 DRAM、NAND 和 NOR 記憶體以及儲存的豐富產品組合。每一天，我們人員提出的創新推動了數據經濟、人工智慧和 5G 應用程式的進步，激發各種機會── 從資料中心到智慧邊緣以及客戶端和行動裝置使用者體驗。欲進一步瞭解 Micron Technology, Inc.（Nasdaq：MU），請瀏覽 micron.com。
