Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支援高功率能耗人工智慧應用的最佳器件
前言：
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，並產生較低的熱量
2023年11月7日--新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）近日宣佈，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN® FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，這表示TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。如需索取樣品，請訪問 Transphorm 的產品網頁：https://www.transphormusa.com/en/products/。
這三款表面貼裝型器件(SMD)可支援平均運行功率範圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用於高性能領域，如計算（人工智慧、伺服器、電信、資料中心）、能源和工業（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業市場。目前，氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模(TAM)達25億美元。值得關注的是，該新型功率器件是目前快速發展的人工智慧(AI)系統最佳解決方案，AI系統依賴於GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。
目前，各種高性能領域的主流客戶開始採用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統提供電力支援，應用領域包括資料中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用於電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用，因為核心SuperGaN晶片已通過汽車行業(AEC-Q101)標準認證。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶最廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設計需求。與所有Transphorm產品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺所固有的性能和可靠性優勢。如欲詳細瞭解SuperGaN與 e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發佈的白皮書『Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢』，該技術白皮書的結論與Transphorm今年初發佈的一份對比報告相一致——該比較顯示，在一款市售280W電競筆記型電腦充電器中，使用72 毫歐 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會更好。
SuperGaN 器件憑藉以下無可比擬的性能指標引領市場：
可靠性：FIT< 0.03
柵極安全裕度：± 20 V
抗噪性：4 V
電阻溫度係數（TCR）比 e-mode 器件低 20%
驅動方式更靈活：利用矽基控制器/驅動器中現成的標準驅動和保護電路
器件規格
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩健，且已獲得JEDEC資格認證。由於常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓矽管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用於各種軟/硬開關的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總成本。
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器件 |
尺寸 (mm) |
RDS(on) (mΩ) typ |
RDS(on) (mΩ) max |
Vth (V) typ |
Id (25°C) (A) max |
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TP65H035G4QS |
10 x 12 |
35 |
41 |
4 |
46.5 |
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TP65H050G4QS |
10 x 12 |
50 |
60 |
4 |
34 |
|
TP65H070G4QS |
10 x 12 |
72 |
85 |
4 |
29 |
供貨情況和設計開發資源
SuperGaN TOLL 封裝器件目前可提供樣品。如有樣品需求, 請訪問公司網頁提交申請：https://www.transphormusa.com/en/products/
基於該TOLL封裝器件的系統開發和優化，請參考如下應用指南：
AN0009：Transphorm 氮化鎵 FET 的推薦外部周邊電路
AN0003：針對氮化鎵功率開關的印刷電路板佈局和量測
AN0014：適用於中低功率氮化鎵 FET 應用的低成本、高密度、高電壓矽驅動器
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於美國加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請訪問www.transphormchina.com。歡迎關注我們的Twitter @transphormusa和微信TransphormGaN氮化镓。
