2026年7月22日--全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠750V CoolSiC™ G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將兩個功率開關整合到同一元件中，既簡化了系統設計，也實現了傳統拓撲革新。750V CoolSiC™ BDS可提供現代電網和能源系統所需的可靠性裕量，能夠在應用的這個生命週期內實現極低的總體擁有成本。
750V CoolSiC™ BDS具備業界領先的RDS(on) × Qfr、優異的RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低開關損耗與導通損耗，實現超高速、高效的開關動作。在25℃條件下，典型閘極值電壓VGS(th)為4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增強寄生導通抗擾性；擴展後的閘極偏壓容限可支援-11V至25V瞬態電壓，能夠提升設計裕量並增強相容性。該產品額定dv/dt可達200V/ns，可在不影響耐用性的前提下支援高頻設計。該產品系列阻值覆蓋範圍為14mΩ至66mΩ。
該產品專為高要求的電源系統而設計，提供 840 V (BR)DSS，為超過 500 V 的母線電壓時提供充足的裕量。此外，它還具有經驗證的雪崩耐受性、100 小時內高達 200°C 的超載耐受能力和 2 µs 的短路耐受時間。這些元件能夠有效保護系統，免受實際環境中電壓突波、能量脈衝、瞬態應力以及浪湧電流的影響，確保系統能夠長期穩定運行，並具備容錯能力。
750V CoolSiC™ BDS擴展了英飛凌頂部散熱產品家族，可適配當下要求最嚴苛、發展迅速的應用場景，支持原生液冷設計，通過拓撲層面的設計反覆運算，實現了全新的能效水準。
在汽車應用中，該產品非常適用於車載充電器（OBC）、電動汽車充電以及eFuse和預充電電路。與CoolSiC™ H-DPAK半橋器件配合使用，可幫助設計平順過渡到基於SiC技術的單級車載充電器，讓設計不僅兼具高功率密度和高成本效益，而且節省空間。
在工業應用領域，它為快速反覆運算的各類應用場景帶來了革新：
• 配備原生液冷的HVDC AI電源
• 戶用太陽能與儲能系統
• 醫院及現場資料中心的HVAC系統
• 適用於電動垂直起降飛行器（eVTOL）的電流源逆變器（CSI）驅動
• 電力及IT機架中的HVDC保護
• 人形機器人群集快速充電
供貨情況
該產品已開始提供樣品。如欲瞭解更多資訊，敬請瀏覽：http://www.infineon.com/coolsic-750v-bds。
英飛凌推出業界首款基於CoolSiC™ G2技術的碳化矽雙向開關
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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