意法半導體全新電氣隔離閘極驅動器 以先進隔離技術簡化功率系統設計
前言：
全新 3A 閘極驅動器內建主動式 Miller 箝位，
可提升充電站、儲能系統、感應加熱設備、驅動系統與自動化設備的效率
2026年9月22日--全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）進一步擴充 STGAP3S 閘極驅動器系列。此系列採用強化電氣隔離設計，可提高可靠性；此次新增高效率且具成本效益的 3A 系列，適用於驅動電流需求較低的電路。其中，全新 STGAP3S3S 針對碳化矽（SiC）MOSFET 最佳化，STGAP3S3IF 則適用於 IGBT。
所有 STGAP3S 閘極驅動器皆可搭配最高 1200V 的高壓電源軌運作，適用於功率因數校正（PFC）、電源供應器、DC/DC 轉換器及逆變器等電路。產品並取得 UL 1577、IEC 60747-17 等國際安全與絕緣認證，其隔離能力、安全運作，以及在高電壓環境下的長期可靠性均獲獨立驗證。典型應用包括充電站、儲能系統（ESS）、太陽能逆變器、堆高機等工業電動車、感應加熱設備，以及一般驅動設備、泵浦與風扇。
ST 採用先進的強化電氣隔離技術，可保護功率級電路免受最高 9.6kV 瞬態電壓影響，共模瞬態抗擾度（CMTI）最高可達 200V/ns。STGAP3S 系列共有三個系列，分別可提供或吸收最高 10A、6A，以及此次新增 3A 的閘極驅動電流，各系列均提供針對 IGBT 與碳化矽 MOSFET 最佳化的不同型號。
全新 STGAP3S3 系列提供 3A 閘極驅動能力，內建完整的主動式 Miller 箝位功能，包括箝位 MOSFET，可避免功率開關因感應而發生非預期導通，進而防止直通電流。將 MOSFET 整合於驅動器內，不僅可節省 PCB 空間、簡化電路設計並減少所需元件，在最高 3A 的閘極驅動電流下也能提供適當的箝位效能。6A STGAP3S6 與 10A STGAP3SX 系列則內建可驅動外接 MOSFET 的前級驅動器，讓高閘極驅動電流系統能更彈性地最佳化箝位速度。
所有 STGAP3S 閘極驅動器皆具備去飽和偵測與軟關斷功能，可控制電壓與電流在切換時的變化，並在過載或短路等危險狀況下保護功率開關。6A、10A 系列以及此次新增、適用於 SiC MOSFET 的 3A 型號，也可外接電阻，以最佳化軟關斷速度。
所有型號皆設有診斷腳位，可顯示去飽和保護、欠壓鎖定（UVLO）及過熱關斷功能是否啟動。此外，這些驅動器支援負閘極電壓，可進一步抑制非預期導通，在故障關斷時保護元件，並確保正常關斷過程中能穩定切換且不產生振鈴。
ST 也為每款 STGAP3S 閘極驅動器提供評估板，包括最新推出的 3A 型號。EVLSTGAP3S3S 與 EVLSTGAP3S3IF 這兩款評估板皆採半橋設計，保護功能已預先設定，並提供測試點與診斷 LED，協助開發工作。
用於驅動 IGBT 與 SiC MOSFET 的 STGAP3S 全系列，包括 STGAP3S3、STGAP3S6 及 STGAP3SX 系列，目前均已量產。這些閘極驅動器採用 SO16W 寬體封裝。
更多資訊請參閱 www.st.com/stgap3s
關於意法半導體
意法半導體（ST）擁有約 49,000 名專業人才，致力於開發各類半導體技術，並透過先進製造能力掌握完整的半導體供應鏈。作為垂直整合製造商（IDM），ST 與超過 20 萬家客戶及數千家合作夥伴攜手合作，共同設計並開發產品、解決方案與生態系，以因應各項挑戰與機會，同時支援更永續的發展需求。ST 的技術應用涵蓋智慧移動、更高效率的電力與能源管理，以及雲端連結之自主裝置的大規模部署。公司正朝在直接與間接排放（範疇一與範疇二）、產品運輸、商務差旅及員工通勤（範疇三重點來源）等領域達成碳中和，並預計於 2027 年底前達成 100% 再生能源用電目標。更多資訊請參閱 www.st.com。
