2012 年 1 月 31 日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 針對要求嚴格的電動與混合動力車等汽車電子應用，推出兼具高電流與高效率的創新封裝技術。全新的 TO 封裝符合 JEDEC 標準 H-PSOF（帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝）。首款採用 H-PSOF 封裝技術的產品為 40V OptiMOS™ T2 功率晶體，電流可高達 300A ，以及超低的 RDS(on) 值(僅 0.76mΩ)。
H-PSOF 封裝讓汽車電子製造商能在高電流應用市場中提供更好的產品。高電流應用包括混合動力車的電池管理、電子動力轉向 (EPS)、主動式交流發電及其他重載應用，能提供更高的效率與更低的碳排放量。美國市調公司 Strategy Analytics 最近的研究報告指出，成長中的應用領域包括汽車 EPS 及啟動停止系統等，預估數量將從 2011 年的 4,700 萬組，成長至 2016 年的 11,000 萬組，平均年複合成長率達 19%。
首款採用 H-PSOF 封裝的產品為 IPLU300N04S4-R7，是英飛凌 40V OptiMOS T2 汽車功率晶體的系列產品之一，為節能減碳及電動傳動應用的標竿。IPLU300N04S4-R7 可提供連續的 300A 汲極電流 (ID) 與 0.76mΩ 的 RDS(on)。採H-PSOF 封裝的電力元件符合 AEC-Q101 標準。英飛凌計畫將進一步推出採用 H-PSOF 封裝技術的 40V 和 30V 汽車 MOSFET。
如欲更多有關英飛凌汽車 MOSFET 和汽車半導體產品組合的資訊，請參閱網站 www.infineon.com/automotivemosfet 和 www.infineon.com/automotive
英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2011計年度(截至9月底)營收為40億歐元，全球員工約為26,000名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
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H-PSOF 封裝亦具備組裝及製造優勢。其特殊設計確保良好的沾錫性，提供可靠的焊接品質，並可透過表面黏著技術 (SMT) 生產線其中的自動光學檢查 (AOI) 控制焊接的引腳。
H-PSOF 封裝的開發，主要目標是降低封裝電阻，並提供比高電流封裝 D2PAK 更優異的電流量。
英飛凌汽車電子事業處總裁 Jochen Hanebeck 表示：「英飛凌開發創新的 H-PSOF 封裝技術，結合在汽車系統領域的專業，更加鞏固了英飛凌在汽車和電力電子的領先地位。專為高電流 MOSFET開發 的創新封裝技術，將協助我們的汽車系統供應商客戶設計更節能且可靠的汽車應用，以滿足降低油耗及碳排放的需求。」
推出 H-PSOF 封裝之後，英飛凌提供電流可高達 300A 與 RDS(on) 僅 0.76mΩ 的 40V 功率 MOSFET，為業界立下新的里程碑。此外，H-PSOF 的整體尺寸和高度較常用的標準 D2PAK 封裝 (TO-263) 更小巧：H-PSOF 封裝尺寸減少約 20%，且高度幾乎只有目前 D2PAK 封裝的一半。
效能優異的電力電子元件可協助汽車系統設計業者符合政府規定，提高汽車燃油效率標準，以及更低的整體排放量，為滿足這些標準，需要電流大於 200A 且 RDS(on) 小於 1mΩ 的功率 MOSFET，以降低導通損失並提升整體效率。目前，汽車電子市場尚未出現滿足上述需求的 MOSFET。
