ST法國Crolles晶圓廠將導入28奈米FD-SOI製程技術

2012年12月13日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣佈其在28奈米 FD-SOI技術平台的研發上又向前邁出一大步，即將在位於法國Crolles的12吋（300mm）晶圓廠導入該製程技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。在實現極其出色的繪圖、多媒體處理性能和高速寬頻連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器須具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28奈米技術的導入可解決這一挑戰，滿足多媒體和可攜式應用市場的需求。

FD-SOI技術平台包括全功能且通過矽驗證的設計平台和設計流程。技術平台包括全套的基礎程式庫（標準單元、記憶體產生器、 I/O、AMS IP以及高速介面）；設計流程適合開發高速的高效能元件。

與傳統製造技術相比，FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選則採用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的行動平台。

意法半導體執行副總裁、數位娛樂事業部總經理暨技術長Jean-Marc Chery表示：「在產品和技術研發領域，意法半導體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術的導入，使意法半導體再次擠身全球最具創新力的半導體技術研發製造企業之列，後端晶圓測試證明，與傳統製造技術相比，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優勢，讓我們能夠在28奈米技術節點創造高成本效益的工業解決方案。ST-Ericsson的NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz，在0.6V時達到800 MHz，對該平台的子系統的測試證明，該技術符合設計預期，具有靈活性和寬電壓範圍，可支援電壓和頻率動態調整（Dynamic Voltage and Frequency Scaling，DVFS）。」

與製造成功同樣重要的是，意法半導體發現了從28奈米 傳統CMOS製程（Bulk CMOS）向28奈米 FD-SOI移植代碼庫和物理IP到十分簡單，由於沒有MOS歷史效應，用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數位系統單晶片的過程與設計傳統塊狀矽（Bulk）元件完全相同。FD-SOI能夠用於製造高能效的元件，必要時，動態基體偏壓（dynamic body-bias）能讓元件立即進入高性能模式，而在其餘時間保持在低漏電流模式，這些對於應用軟體、作業系統和高速緩存系統都完全透明。與傳統CMOS製程技術相比，FD-SOI可實現更優異的性能及低工作電壓，並擁有非常出色的能效。

關於意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體供應商，爲客戶提供感測器、功率元件、汽車産品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。

意法半導體2011年淨收入97. 3億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。