2014年3月5日--GT Advanced Technologies (納斯達克代碼：GTAT)今天宣佈已經向Kyma Technologies, Inc.收購其電漿氣相沉積(PVD)技術及專門知識的獨家使用權。Kyma所開發的電漿氣相沉積柱狀納米技術(PVDNC(TM))可以在氮化鎵沉澱前，在晶圓上沉積一層高品質的生長型初始層氮化鋁。GT 計劃將電漿氣相沉積工具商業化，以配合其正在研發的氫化物氣相外延(HVPE)系統，該組合將令LED生產商可以在圖案化或平面晶圓上，用更低的成本生產更高產量的氮化鎵模板。GT已經有一個可以用於大量生產的原型工具，結合Kyma的電漿氣相沉積柱狀納米技術，預期到2015年上半年即可提供量產工具。
GT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez 表示：「Kyma創新的「柱狀納米」PVDNC技術為我們不斷擴張的LED生產基地帶來了重要的補充。我們的目標是提供一系列的解決方案，以提升LED的生產品質及降低成本。將GT的PVD AlN工具與我們正在研發的HVPE系統相結合，預計可讓LED生產商以比現行生產技術更低的成本生產出開盒即用晶圓。」
Kyma的總裁兼首席執行官Keith Evans表示：「我們非常高興GT決定將我們的電漿氣相沉積柱狀納米技術商業化。經過多年創新及生產AIN模板，我們深信柱狀納米AlN 薄膜將為LED行業帶來實實在在的好處。」
今天，將氮化鎵沉積在開盒即用的晶圓時，需要使用較為昂貴而且進程緩慢的MOCVD工具。透過結合PVD與HVPE這兩個流程，將可以生產低成本的氮化鎵模板，廠商將能夠利用現有的LED生產線擴產；另外，由於他們需要的MOCVD 工具更少，此舉也可以降低其資本開支。
關於GT Advanced Technologies Inc.
GT Advanced Technologies Inc.是一家領先的多元化技術公司，專門為全球消費類電子產品、電力電子產品、太陽能及LED行業生產先進材料及創新晶體生長設備。其技術創新讓更多的先進材料可以加快投入市場使用，並在全球各個不同市場催生新一代的產品面世。有關GT Advanced Technologies的更多資訊，請瀏覽www.gtat.com。
