2018年6月21日--氮化鎵 (GaN) 具備多項重要優勢，例如高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等等。英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 宣布將於 2018 年年底開始量產 CoolGaN™ 產品，目前已於市場提供具備高可靠度的 GaN 解決方案的工程樣品。
英飛凌高電壓轉換部門資深協理 Steffen Metzger 表示：「英飛凌是全球電源解決方案的領導廠商，我們深信GaN是電源管理的下一個明日之星。公司的目標是在 GaN 電源方面成為客戶首選，而我們已經做好所有準備以達成此項目標。GaN 市場已經獲得強大動能，在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出，提升功率密度實現更精巧輕盈的設計，乃至於減少整體系統成本，其中產生的效益相當具有說服力。」
英飛凌 CoolGaN 是市面上最可靠且通過全球認證的 GaN 解決方案之一。在品質管理流程中，不僅對產品本身做測試，還包括產品於應用中特性表現的測試。CoolGaN 的效能超越市面上其他的 GaN 產品。以 100 ppm (百萬分之一) 的失效率來看，預估零件使用壽命約為 55 年，超越預期壽命40年。CoolGaN 在同樣的儲能空間下達到兩倍的輸出功率，可釋出更多空間並提升效率。
供貨情形
CoolGaN 400 V 及 600 V e-mode HEMT 將於 2018 年年底開始全面量產。CoolGaN 400 V 將提供 70 mΩ ，採用 SMD 底層散熱 TO-leadless及頂層散熱 DSO-20-87 封裝。CoolGaN 600 V 則採用頂層散熱 DSO-20-87 封裝及底層散熱 DSO-20-85 封裝。70 mΩ 及 190 mΩ 600V CoolGaN 裝置採用底層散熱 TO-leadless及 DFN 8x8 封裝，讓 600V CoolGaN 產品組合更為完備。
CoolGaN 400 V 及 600 V e-mode HEMT 將於 2018 年年底開始全面量產。CoolGaN 400 V 將提供 70 mΩ ，採用 SMD 底層散熱 TO-leadless及頂層散熱 DSO-20-87 封裝。CoolGaN 600 V 則採用頂層散熱 DSO-20-87 封裝及底層散熱 DSO-20-85 封裝。70 mΩ 及 190 mΩ 600V CoolGaN 裝置採用底層散熱 TO-leadless及 DFN 8x8 封裝，讓 600V CoolGaN 產品組合更為完備。
