2018年11月23日--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出全新130nm製程、以節點為基礎的FFSA™ (Fit Fast Structured Array)，其為客製化系統級晶片(SoC)開發平台，具備高效能、低成本和低功耗的特點[1]。
東芝提供適合客戶企業環境客製化需求的專用積體電路(ASIC)和FFSA™平台，同時也為客製化SoC開發提供高效率解決方案。FFSA™元件採用矽基母片，晶圓母片上部金屬層可提供客戶用於客製化設計的整合。FFSA™只需客製幾層光罩板，即可實現近ASIC的功能且比單獨ASIC開發所需的NRE成本低。低開發成本的優勢，並能夠比傳統ASIC於短時間內提供樣品並實現量產。此外，FFSA™使用ASIC設計方法及其資料庫，可超越現行可程式邏輯閘陣列(FPGA)達到更高的效能和更低的功耗。[1]
130nm製程系列與東芝現有的28nm、40nm和65nm製程產品組合一起，使得FFSA™成為目前工業設備市場更適合的解決方案。
透過該平台設計的130nm FFSA™元件將由東芝電子元件及儲存裝置株式會社旗下子公司Japan Semiconductor製造，其在 ASIC、ASSP和MCU微控制器製造方面歷史悠久、擁有實力及技術，可確保長期供貨並滿足業務客戶連續性的計畫需求。
工業設備、通訊設施、辦公設備和消費產品市場可望實現穩步擴張，而該新系列可以提供所需的效能和整合。
FFSA™ 產品陣容
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製程技術 |
130nm |
65nm |
40nm |
28nm |
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最大閘數[2] |
912Kgate |
21Mgate |
25Mgate |
100Mgate |
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最大SRAM 儲存容量 |
664Kbit |
19Mbit |
30Mbit |
207Mbit |
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最大收發器速度 |
－ |
－ |
12.5Gbps |
28Gbps |
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最大收發器通道數 |
－ |
－ |
14 |
64 |
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最多 I/O 引腳數 |
337 |
1110 |
720 |
928 |
註：
[1] 東芝傳統FPGA產品內部比較。
[2] 可用閘數是一個指導基準，將因具體應用而異。
