2020年03月16日--力旺電子今日宣布其嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable，MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功於台積公司第三代0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)製程完成驗證，提供IoT電源管理晶片(Power Management IC，PMIC) 客戶極佳成本優勢的NVM矽智財解決方案。
力旺NeoMTP已廣泛被USB Type-C與無線充電等電源管理晶片的客戶所採用，這次與台積公司在0.18微米第三代BCD製程合作的解決方案，具備更高整合性、更微小化、更低功耗等優異特徵。
無線充電已成為行動裝置與IoT相關應用的基本配備，因此，市場對於整合邏輯控制(MCU)以及功率元件(Power Stage)的系統單晶片(SOC)的需求也逐步提升，同時，記憶體也被整合進系統單晶片中做程式碼儲存(Code Storage)功能，力旺的NeoMTP矽智財是此種設計的最佳解決方案。
與傳統的OTP或外掛式EEPROME相比，使用嵌入式MTP之無線充電控制器不僅提供更彈性的可編程性效能，同時更減少設計冗餘(design redundancy)。
「力旺的NVM產品在電源管理領域向來是極佳的選擇」力旺業務發展中心副總何明洲表示。「力旺佈建於台積0.18微米第三代BCD製程的NeoMTP配備極優的特性，可使設計者在快速成長的電源管理市場取得先機。」
NeoMTP具備的獨特特性包括不需喚醒操作以節省測試時間進而降低測試成本、支援快速編程/擦拭(Program/Erase)以及多晶片同步測試的模式，可方便用於大量測試。
除此之外，NeoMTP還具有以下特性：
- 可完全相容於標準的CMOS邏輯製程
- 優於標準的操作電壓範圍
- 高可靠度與支援高溫操作
- 1,000次編寫後記憶體仍維持10年以上的資料留存時間
- 可完全相容於標準的CMOS邏輯製程
- 優於標準的操作電壓範圍
- 高可靠度與支援高溫操作
- 1,000次編寫後記憶體仍維持10年以上的資料留存時間
NeoMTP的容量最高可達 8K32，不須多加光罩，且可客製化輸出/輸入(I/O)數字以符合客戶的不同需求。
力旺NeoMTP於台積公司0.18微米第三代BCD製程的成功佈建可幫助IC設計客戶有效率地達成整合所有功能於單一晶片中的目標，以縮短產品的開發上市時程。
力旺已成功佈建其eNVM解決方案於台積公司的BCD製程，瞄準電源管理各相關應用。力旺的NeoBit在2017年完成台積0.18微米第三代BCD製程驗證後，至今已有非常卓越的量產成果。而NeoMTP除了在0.18微米第三代BCD製程完成驗證外，在90奈米BCD製程合作案也正在進行，預計不久將來亦可完成驗證。
力旺與台積公司的合作源於2003年，長久以來一直維持緊密的合作關係，已連續10年獲頒台積公司之最佳IP夥伴獎，顯示力旺與台積之關係密不可分，力旺的NeoBit, NeoFuse, NeoEE, NeoMTP等矽智財於台積各製程平台均已成功佈建，被共同客戶大量採用並成功量產，取得亮眼的成果。
關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球知名的領導半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,550多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
更多力旺電子訊息，請見公司官網 www.ememory.com.tw 。
