2023年4月12日--全球最新半導體與電子元件™的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化矽 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的裝置。這些裝置經過最佳化，可為能源基礎建設及工業驅動應用提供高可靠度和高效能。
再生能源和高功率工業應用需要高崩潰電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大閘極至源極電壓 (VGS) 範圍為-15V至+25V，適用於閘極電壓達到-10V的快速切換應用，進而提高系統可靠度。1700V EliteSiC MOSFET可在1200V、40A測試條件下實現領先市場的200nC超低閘電荷 (Qg)，在快速切換、高功率再生能源應用中具備很高的效率。
NDSH25170A與NDSH10170A EliteSiC肖特基二極體的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (VRRM) 與重複尖峰反向電壓之間具有更大的邊限。這些裝置還使得設計者能夠在高溫下實現穩定的高電壓作業，並且不會影響SiC的高效率。
無論是電動車充電站、利用再生能源的電力網，還是高電壓/高電流的工業驅動應用，安森美EliteSiC都能實現最高的效率，並降低功率損失。
提供種類最齊全的半導體與電子元件™、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子在過去兩年中分銷了逾122,000個新零件編號。如需進一步瞭解安森美EliteSiC裝置，請瀏覽https://www.mouser.com/new/onsemi/onsemi-wide-band-sic/。
如需進一步瞭解NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET，請瀏覽https://www.mouser.com/new/onsemi/onsemi-nth4l028n170m1-mosfet/。
如需進一步瞭解NDSH25170A與NDSH10170A 1700V EliteSiC肖特基二極體，請瀏覽https://www.mouser.com/new/onsemi/on-semi-1700v-diodes/。
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