2023年10月9日--【英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能 GaN 型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件，今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD 的 ICeGaN 採用 TSMC 的 GaN 製程技術，已為全球客戶進入量產階段，將典型外部驅動電路的複雜性導入到單片整合的 GaN HEMT 之中。此概念能從 PCB 級減少元件數量，大幅提升功率電晶體和整個系統的耐用性與可靠性，同時使用者也能自行選擇所要的閘極驅動器與其耦合。此概念可輕易擴充到更高的功率和電壓，而這也是 CGD 目前積極追求的目標。ICeGaN 為業界首創：可以用與 Si MosFET 一樣的方式驅動 GaN eMode HEMT。ICeGaN 靠著為市場帶來的產品差異化獲得認可，獲創新區參觀者評選為「最佳展示」，TSMC 每年都會在歐洲最大的活動中透過創新區為新創客戶展示最先進的產品。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長
「CGD 對 TSMC 在高電壓 GaN 領域的領導地位給予肯定，我們相信他們擁有全業界最成熟且可靠的製程，這就是我們選擇由該公司為我們生產專有 ICeGaN 技術 SoC 的原因。因此，我們也很高興能獲頒 TSMC 這座寶貴的創新獎。
這對我們來說尤其重要且有意義，因為創新是 CGD 的關鍵價值觀之一，我們的目標是透過技術取得領先地位。該獎項也忠實呈現我們兩家公司在推出顛覆市場現況的創新 GaN 技術上所取得的成功。」
PAUL DE BOT | TSMC 歐洲分公司總經理
「在此對 CGD 表示最熱烈的祝賀，其創新技術獲得認可當之無愧。TSMC 很高興與 CGD 合作，將其簡單易用的 650V ICeGaN GaN 電晶體大量供應給全球各個應用領域的公司。我們期待繼續與 CGD 在 GaN 功率半導體技術領域密切合作。」
ICeGaN H2 單晶片 eMode GaN HEMT 是我們的第二代 650V GaN IC，最近剛在市場上推出，其在無載到輕負載作業中展現了創紀錄的低損耗，這項特點對許多消費性和工業應用至關重要。CGD 在著名的 TSMC 歐洲展和全球多個知名會議上，透過搭配 H1 產品組合，展示從 65W 至 3kW 整個範圍內的最高效率和可靠性。CGD 仍會持續努力，在近期內擴充其產品組合。
ICeGaN 在功率電晶體晶片內加入單片整合的 GaN 介面電路。這簡化裝置的使用方式，讓它們能用像矽 MOSFET 一樣的方式驅動，而不需要特殊的閘極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路、負電壓電源或外部箝位元件。這種創新設計使裝置極其堅固可靠，同時實現現有 eMode GaN 技術中的最高效能。
關於 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 從事 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，能夠激發能源效率和高密度層面的根本性變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果導入日常生活。CGD ICeGaN™ 技術經證實適用於大量生產，公司正迅速擴展既有的製造及客戶合作規模。CGD 是從劍橋大學衍生而立的無晶圓廠企業， 執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享譽國際的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊擁有的技術和商業專業知識，以及在電力電子市場受到廣泛肯定的良好記錄，是公司獨家技術極具市場接受度的根本原因。
關於 台積電 (TSMC)
TSMC 創立於 1987 年，開創純晶圓代工的營運模式，自此一直是領先全球的專業半導體晶圓代工廠。該公司擁有領先業界的製程技術和設計支援解決方案組合，支援全球客戶與合作夥伴蓬勃發展的生態系統，釋放全球半導體產業的創新潛能。TSMC 業務範圍遍及全球，橫跨亞洲、歐洲和北美洲，是全球堅定的企業公民。
TSMC 部署了 288 種不同的製程技術，提供最廣泛的專業和先進封裝技術服務，在 2022 年為 532 家客戶製造了 12,698 種產品。公司總部位於台灣新竹。如需詳細資訊，請瀏覽 https://www.tsmc.com。
