2023年10月24日--掌握碳化矽（SiC）單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力的新創公司格棋化合物半導體股份有限公司（GCCS）宣佈，近期成功完成新台幣15億元的A輪募資，並將持續投資先進晶體研發與製程優化技術。格棋化合物半導體位於桃園的6吋產線已開始小規模試量產，目前正積極尋找新廠房土地，預計明年將展開大量生產。格棋化合物半導體成立於2022年，擁有自主先進研發團隊，其獨特長晶工藝與量產能力，可協助客戶打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片，搶攻未來市場龐大商機。
格棋化合物半導體為專業碳化矽晶體（Ingot）與晶圓（Wafer）供應商，長期關注第三代化合物半導體的市場發展和工藝技術開發，團隊成員在此領域擁有超過10年經驗，特別是晶體生長和熱場設計，出色的專業技術能力深獲業界肯定，成立至今成功吸引投資人的目光，近期剛完成新台幣15億元的A輪募資。格棋化合物半導體目前積極與國內知名半導體材料業者聯繫提出合作，未來將善用技術優勢，搶攻第三代半導體龐大商機。
葉國偉執行長強調：「碳化矽化合物半導體的高效、高頻與耐高溫特色，特別適用於電動車與混合動力車的車載系統中，在技術成熟與成本降低兩大優勢下，商機快速放大，目前已出現供貨短缺現象。」研究機構TrendForce預估2023年碳化矽功率元件整體市場規模量將達22.8億美元，年成長率超過40%。
執行長也表示：「為滿足市場需求，全球半導體供應鏈各指標性大廠紛紛開始積極行動，幾家關鍵性廠商已全力提供高品質碳化矽晶圓。國際性大廠也提出相關的發展藍圖，陸續開發出多款相關產品。種種跡象顯示，在化合物半導體製造端，各指標性大廠則積極投入製程技術研發，滿足客戶需求。」
在製程領域，格棋化合物半導體團隊深耕晶體成長工藝技術，目前已具備6吋N-type晶體的量產製程能力，並已於2023年5月成功開發出8吋N-type晶體以及6吋半絕緣晶體。團隊專攻以物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport, PVT）長晶技術所製造出的碳化矽單晶產品，其品質更高、缺陷密度更低，運作也更穩定。近期6吋N-type晶體產線已達良率，開始進入小規模試量產階段。除了長晶技術之外，公司同時還具備有切磨拋光技術的開發能力，對於製程進行晶圓切片工作及提供客戶對接時更完整的產品與技術服務。
【關於格棋化合物半導體】
格棋化合物半導體為2022年成立的新創公司，著眼未來能源轉型與電動車市場之龐大商機，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。於2023年完成價值15億新台幣之A輪募資，其獨特長晶工藝與量產能力，致力於打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片。
