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力旺電子與西門子聯手推出突破性的 SRAM 修復工具集: 整合NeoFuse OTP的Tessent MemoryBIST

本文作者:力旺電子       點擊: 2024-10-15 13:35
前言:
2024年10月15日--力旺電子今宣布與西門子聯手推出突破性的 SRAM 修復工具。該解決方案將西門子的Tessent™ MemoryBIST軟體與 eMemory的NeoFuse OTP整合,主要應對具高密度SRAM之先進AI SoC的需求。
當今的AI晶片對於配備AI語言模型、資料處理器(DPU)和靜態隨機存取記憶體內運算(SRAM-based CIM) 架構的需求日趨增加,然而,製程微縮及密度急劇增加對SRAM的製造、良率和可靠度帶來可觀的挑戰。隨著SRAM密度增加,故障位元發生機率也更高,因此,晶片內建的自動修復 (built-in self-repair; BISR) 技術和一次性可編程記憶體 (OTP) 在提升良率上就扮演著更重要的角色。

作為業界領先的記憶體測試解決方案,西門子Tessent MemoryBIST實現了片上記憶體全面自動化的全速測試、診斷、修復、調試和特性鑑定。 其中,力旺OTP在儲存故障位元方面發揮著重要作用。此整合解決方案標榜最佳化的OTP編程效率,並適用於各式 SoC 總線協議設計。與 eFuse 的區別在於,NeoFuse 內建自我檢測機制,在不需增加多餘電路下, 於部署後可持續進行自動檢測和修復。這項優勢對於車載應用等高階晶片至關重要。

「力旺的OTP通過了台積電N5、N5A和N4P的嚴格認證,具有近乎完美的良率、可靠度、面積和成本效益。西門子Tessent MemoryBIST與eMemory NeoFuse OTP的全面整合,以最大效率支持客戶實現可靠的AI晶片設計。」力旺電子資深業務開發副總盧俊宏先生表示。

「在全球 IC 市場向人工智慧技術的典範轉移過程中,需要創新的解決方案。」西門子數位設計創作平台Tessent資深副總裁暨總經理Ankur Gupta表示。「Tessent MemoryBIST與eMemory OTP的預整合方案有助於先進AI晶片開發商以低成本實現快速上市、高良率和出色的可靠度。同時,此解決方案亦能幫助客戶優化其整體設計的功耗、性能和面積。」
 
註:相關西門子商標列表可在此處找到
 
關於力旺電子
力旺電子(3529)成立於 2000 年,是全球知名的半導體矽智財供應商,在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位。在2019年更跨足晶片安全領域,導入其出色的反熔絲可一次編寫記憶體(anti-fuse OTP)與物理不可複製功能(PUF)技術,開發晶片安全解決方案。
 
繼可一次編寫記憶體(NeoBit/NeoFuse)取得突破性成功後,力旺電子持續擴展其IP 產品線,包括可多次編寫記憶體(NeoMTP/NeoEE)、快閃記憶體(NeoFlash/RRAM/MRAM)和PUF技術(NeoPUF)。 此外,通過子公司熵碼科技,以創新的PUF和安全OTP為核心提供安全子系統和各式解決方案,包括信任根模塊PUFrt和加密協處理器PUFcc。
 
作為世界領先的 IP 供應商,eMemory 已為全球 2,600 多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司提供一流的矽智財解決方案,並致力於與我們的客戶及合作夥伴一起推動先進應用的技術發展。
 
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