英飛凌達成8吋碳化矽晶圓新里程碑：開始交付首批產品
前言：
− 英飛凌開始向客戶交付首批採用先進8 吋碳化矽（SiC）晶圓製程技術的SiC產品
− 這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供業界領先的SiC電源技術
− 8 吋 SiC晶圓的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優勢
2025年2月18日--英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在8 吋碳化矽(SiC) 產品路線圖上取得重大進展。公司將於2025年第一季度向客戶供貨首批採用先進8 吋 SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造，將為高壓應用領域，包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等，提供業界領先的SiC電源技術。此外，英飛凌位於馬來西亞居林的生產基地正在從6吋晶圓向更大、更高效的8 吋晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。
英飛凌營運長Rutger Wijburg博士表示：「我們正在按計劃建置SiC產品的生產，並且十分自豪開始向客戶供貨首批產品。藉著菲拉赫和居林生產基地的SiC產品分階段進入量產，我們正在提升成本效益，持續確保產品品質，同時也確保我們的產能能夠滿足客戶對SiC功率半導體的需求。」
SiC半導體為大功率應用帶來了變革，它進一步提高了電源開關的效率、在極端條件下具有高度的可靠性和穩健性，並且能夠實現尺寸更小的設計。借助英飛凌的SiC產品，客戶能夠為電動車、快速充電站和軌道運輸，以及再生能源系統和AI資料中心開發節能解決方案。向客戶提供首批採用8 吋晶圓技術的SiC產品標誌著英飛凌在SiC產品路線圖上邁出了實質性的一步，該路線圖的重點是為客戶提供全面的高性能功率半導體產品組合，推動綠色能源的發展，並對二氧化碳的減排做出貢獻。
作為專注於高度創新寬能隙(WBG)技術的「英飛凌虛擬協同工廠」(One Virtual Fab)，英飛凌菲拉赫與居林的生產基地透過共享技術與製程工藝，實現了SiC和氮化鎵（GaN）製造的快速進入量產以及平穩高效的運營。現在，8 吋 SiC晶圓的生產讓英飛凌業界領先的半導體技術和電源系統解決方案再下一城，鞏固了公司在矽 (Si) 以及SiC和GaN等整個功率半導體領域的技術領先優勢。
英飛凌8吋SiC晶圓
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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