2025年2月26日--在全球持續面臨氣候變遷和環境永續發展挑戰之際，英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）一直站在創新前沿，利用包括矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數位化領域的發展。
英飛凌在「2025年GaN功率半導體預測報告」中強調，GaN將成為改變遊戲規則的半導體材料，它將大幅改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI資料中心等領域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優勢，包括提高能效表現、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器已經是GaN應用的領跑者，有更多產業即將達到GaN的應用關鍵轉折點，這將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。
英飛凌GaN事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：「英飛凌致力於透過基於Si、SiC和GaN在內的全部半導體材料的創新來推動低碳化和數位化轉型。憑藉在效率、密度和尺寸方面的優勢，GaN將在全面性的電源系統中發揮日益重要的作用。而且鑒於GaN與Si的成本差距正在縮小，我們預見GaN的採用率將在今年及未來持續增長。」
氮化鎵技術對於AI的供電需求至關重要。隨著AI資料中心算力和能源需求的快速增長，市場愈發需要能夠處理AI伺服器相關巨大負載的先進解決方案。過往電源供應器的輸出功率為3.3 kW，現在正向著5.5 kW發展，預計未來將達到12 kW或更高。使用GaN可以提高AI資料中心的功率密度，對於在有限的機架空間內可提供的算力將有直接的影響。除了GaN具有明顯的優勢，另一方面，將其與Si和SiC搭配使用才是滿足AI資料中心要求，並在效率、功率密度和系統成本之間實現綜合權衡的理想選擇。
在家電市場，由於洗衣機、烘乾機、冰箱和水泵/熱泵等應用需要達到更高的能效等級，因此英飛凌預計GaN將實現快速發展。例如：在800 W應用中，GaN可使能效提高2%，從而幫助製造商實現A 級能效。根據英飛凌的研究，基於GaN的電動車車載充電器和DC-DC轉換器將有助於更高的充電效率、功率密度和材料永續性，而且正向20 kW以上的系統轉型。GaN還將與高階SiC解決方案一同實現更加高效的400 V和800 V電動車系統牽引逆變器，增加電動汽車的行駛里程。
由於GaN材料能夠提升體積的精簡性，機器人產業將於2025 年起廣泛採用GaN，這將推動送貨無人機、護理機器人和人形機器人的發展。而隨著機器人技術與自然語言處理、電腦視覺等先進AI技術的融合，GaN將提供實現精簡、高性能設計所需的效率。例如：將逆變器整合在馬達主機殼內，既無需使用逆變器散熱片，同時又能減少每個關節/軸的線纜，並簡化EMC設計。
為了解決在成本和可擴展性方面的挑戰，英飛凌正進一步增加對GaN研發的投資。憑藉最豐富的產品和 IP 組合、嚴格的品質標準，以及12吋 GaN晶圓製造和雙向開關（BDS）電晶體等前沿創新技術，英飛凌正以包括GaN在內的所有相關半導體材料為基礎，鞏固自身在推動低碳化和數位化方面的領先地位。
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英飛凌發佈「2025年GaN功率半導體預測報告」
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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