2025年3月19日--為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵(GaN)電源供應器(PSUs),服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出了搭載 MasterGaN1L 系統封裝(SiP) 的 EVL250WMG1L 共振轉換器參考設計。
MasterGaN SiP 將氮化鎵功率元件與專為快速開關控制而優化的閘極驅動器結合,取代傳統的離散元件,提升效能與可靠性,並縮短設計周期,同時節省 PCB 空間。
此參考設計專為空間有限且對效率要求極高的工業應用所打造。結合包含兩顆 650V 150mΩ 氮化鎵(GaN)FET 的 MasterGaN1L 與 L6599A 共振控制器,該電源供應器可達到超過 94% 的峰值效率,且主端無需散熱器即可運行。該設計也搭配 SRK2001A 同步整流控制器,使整體尺寸縮小至 80mm x 50mm,並達到34W/inch³的優異功率密度。
該電源供應器可提供最高 10A 的輸出電流,相當於在 24Vdc 下達到 250W,並且待機電流消耗低於 1µA,提供優異的節能效能。L6599A 和 SRK2001A 內建的保護功能能夠有效防止過電流、短路和過電壓,並且透過輸入電壓監控確保正確啟動及欠壓鎖定保護。
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