2025年3月27日--Enphase Energy公司採用全球電源系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高壓超接面（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統設計並降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基於微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。透過使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的 MOSFET 內阻（RDS(on)），進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節省了與MOSFET相關的成本。
英飛凌資深副總裁暨總經理Richard Kuncic表示：「我們很高興與Enphase合作，支援他們致力於完成提供創新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設計，這與Enphase和英飛凌透過提高再生能源技術的性能和經濟性的承諾相吻合，從而進一步推動低碳化進程。」
Enphase Energy資深副總裁暨系統業務部總經理Aaron Gordon表示：「透過與英飛凌合作，Enphase利用CoolMOS™ 8 SJ MOSFET技術提高了自身微型逆變器系統的性能和經濟性。該合作展現了我們在太陽能產業追求創新與卓越的決心。我們很高興能以顯著節約的成本為客戶大幅提升電流功率密度。」
英飛凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8 MOFET在全球高壓超接面MOSFET技術領域處於領先地位，為全球樹立了技術和性價比的標準。該技術提高了充電器和適配器、太陽能和儲能系統、電動汽車充電和不斷電供應系統（UPS） 等應用的整體系統性能，進一步推動了低碳化。
CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 的閘極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。閘極電荷的降低減少了MOSFET 的閘極從關斷狀態（非導通）切換到導通狀態（導通）所需的電荷，使系統更加節能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有更快的關斷時間，其熱性能較上一代產品提高了14%至42%。該產品整合快速體二極體，並提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用於各種消費和工業應用。
供貨情況
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET產品組合擴展樣品將從四月初開始供應。更多資訊，敬請瀏覽 www.infineon.com/coolmos8。
採用TOLL封裝的CoolMOS™ 8
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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