2025年7月24日--Infinitesima 很榮幸地宣布，正式啟動為期三年的開發專案，並與包括 ASML 在內的多家合作夥伴攜手合作。本次專案將運用 Metron3D 300 毫米線上 （in-line）晶圓量測系統，針對尖端應用進行優化與探索，包括混合接合（Hybrid Bonding）、高數值孔徑極紫外光微影（High-NA EUV Lithography），以及如互補場效電晶體（CFETs）等 3D 邏輯裝置結構。
此專案將結合合作夥伴的深厚專業知識與 Infinitesima 的 Rapid Probe Microscope（RPM™）技術，實現深入的三維表面偵測、高速影像擷取與干涉等級的精準度。此舉將有助於因應業界迫切需求，於高產能製造環境中，針對關鍵結構的整體形貌提供高吞吐量、詳細的 3D 量測資訊。
作為本計畫的一部分，Infinitesima 將於全球領先的奈米電子與數位技術研發機構 imec安裝系統設備。該系統將由包括 ASML 在內的合作夥伴使用，以持續推進 高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光阻成像 的特性研究與製程開發。Infinitesima 將與 imec 密切合作，攜手開發新一代量測系統功能與強化技術。本次合作旨在實現真正的 三維製程控制，這對於未來半導體裝置的生產具有關鍵性意義。
Infinitesima 與 imec 的合作始於 2021 年，最初著重於運用其專利技術 RPM™（Rapid Probe Microscope），實現探針誘發式奈米級斷層感測（tip-induced nanoscale tomographic sensing），應用於研究與故障分析領域。本次全新合作計畫，標誌著雙方合作關係擴展至高速線上生產量測領域，以支援半導體產業對於 亞奈米級特徵 與 日益複雜的 3D 結構 所提出的先進檢測與量測需求。
Infinitesima 執行長 Peter Jenkins 表示：「我們非常榮幸能進一步擴展與 imec 的合作，攜手解決下一代半導體製程中最關鍵製程步驟所面臨的先進量測挑戰。」
透過此次擴大合作，將有助於 Infinitesima 鞏固其在晶圓線上量測技術領域的領導地位，並積極推動半導體產業朝向更小尺寸、更複雜結構的下一代元件架構發展。
關於 Infinitesima
Infinitesima 為總部位於英國的先進半導體量測技術領導者。公司首創融合三種關鍵技術的創新解決方案：具備原子力顯微鏡的三維表面偵測能力、高速雷射啟動技術，以及干涉測量的精準度，打造出專利技術 RPM™（Rapid Probe Microscope），目前已擁有完整專利組合保護。
隨著半導體製程邁向更微小、更複雜的架構，業界迫切需要超越傳統光學與電子束技術的新一代高解析 3D 量測解決方案。Infinitesima 推出的 Metron®3D 高速量測系統，搭載自家專利 RPM™ 技術，專為滿足次奈米級*線上 3D 製程控制需求而設計。欲了解更多資訊，請造訪官方網站：www.infinitesima.com
*1 奈米（nm）等於 10 的負 9 次方公尺（即十億分之一公尺），一個矽原子的直徑約為 0.2 奈米。
