盛美半導體設備宣佈對其用於先進晶片製造領域的Ultra C wb濕法清洗設備進行重大升級
前言：
專利申請中的氮氣鼓泡技術顯著提升了濕法刻蝕均勻性以及清洗性能
2025年7月28日--盛美半導體設備（NASDAQ: ACMR），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，今日宣佈對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。
升級後的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了化學藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中品質傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應用前景。
盛美半導體設備董事長王暉博士表示：“性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術，盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能”。“批量處理工藝始終是濕法加工領域的關鍵環節，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢。”
升級後的Ultra C wb設備已通過中國大陸某頭部晶圓廠的工藝驗證，並已獲得多筆重複訂單。目前多家客戶正在評估該設備，盛美預計將在今年年底前交付更多設備。
升級後的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：
• 提升蝕刻均勻性：相較於傳統的槽式濕法清洗設備，Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術，將晶圓內以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。
• 提高顆粒去除性能：在先進節點工藝中，Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除化學藥液添加劑的有機殘留物。
• 擴展工藝能力：升級後的清洗模組已通過三道先進節點工藝驗證，包括：疊層氮化矽蝕刻、溝道孔多晶矽蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學藥液使用。
• 自主知識產權設計：氮氣鼓泡核心組件與技術均受自主知識產權保護。專利申請中的氮氣鼓泡設計可生成均勻分佈的大尺寸氣泡，且氣泡密度精准可控。该专利申请的氮氣鼓泡核心技术可以应用在盛美的Ultra C Tahoe（单片槽式组合清洗设备）平台上，更好地解决客户未来的工艺需求。
關於盛美半導體設備
盛美半導體設備從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單片晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備、前道塗膠顯影設備、PECVD設備和面板級先進封裝設備的開發、製造和銷售，並致力於為半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的工藝解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
