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任務圓滿達成:英飛凌的半導體技術在Artemis II 太空任務中再度展現可靠性

本文作者:英飛凌       點擊: 2026-04-16 16:46
前言:
− 英飛凌的抗輻射半導體在NASA的阿提米絲II號 (Artemis II) 獵戶座 (Orion) 太空船中,在為期十天的太空任務中表現完美。 − 自1970年代起,英飛凌的抗輻射技術在數百次太空任務中證明了其可靠性。 − 透過全球首款JANS認證且為內部製造的抗輻射氮化鎵(GaN)電晶體,英飛凌為太空半導體樹立了標竿。
2026年4月16日--美國太空總署 (NASA) 的阿提米絲二號 (Artemis II) 任務在完成為期十天的太空飛行後成功返回地球。此次任務中不僅完成繞月飛行,還創下了載人太空船距離地球最遠的飛行紀錄。四位太空人安全返回地球,再次證明英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的抗輻射(rad-hard)半導體解決方案即使在最極端的太空環境下,效能依然穩定可靠。從關鍵的電源供應與控制系統到數據通訊,英飛凌旗下IR HiRel 部門提供的抗輻射元件,成為獵戶座太空船(Orion)電子系統的核心支柱之一。

英飛凌電源與感測系統事業部資深副總裁暨IR HiRel總經理Mike Mills表示:「太空計劃需要能夠支援長達數十年的技術與合作夥伴。我們很自豪能夠再次為歷史性的太空任務作出貢獻。太空產業正快速發展:更多的任務、更大量的數據、以及更高程度的電氣化,但同時也面臨著尺寸、重量和功耗的嚴苛挑戰。在此背景下,半導體技術已逐漸成為太空探索的核心支柱。英飛凌元件在阿提米絲二號的任務中,從第一分鐘完美運行至任務結束,這並非偶然,而是數十年工程專業積累、最先進的認證流程,以及對半導體在太空應用性能需求的深刻洞察共同促成的成果。」

阿提米絲二號任務標誌著英飛凌多年的太空領域突破成就。早在1970年代,英飛凌的前身公司便為NASA和ESA(歐洲太空總署)的任務提供首批抗輻射元件。此後,英飛凌IR HiRel便為包括導航衛星、國際太空站(ISS)、以及今日阿提米絲計劃在內的數百項太空任務提供支援。這些抗輻射元件的飛行距離已經承受住超過200億公里的太空飛行挑戰,這一距離遠超過任何其他人造物體。英飛凌作為此領域的技術先驅,將持續投資、開發並生產最卓越的抗輻射半導體,支援全球太空應用設計社群的需求。

太空環境對半導體的要求極高。在地球磁場的保護範圍之外,高能粒子會無阻地衝擊電子元件,並可能造成永久性損壞或摧毀元件,導致任務失敗。英飛凌的抗輻射技術並非透過被動屏障,而是透過在半導體架構設計階段即具備抗輻射能力來應對這一挑戰。所有產品均符合最嚴格的國際太空標準認證,包括MIL-PRF-38535 Class V、MIL-PRF-19500、ESA的ESCC標準以及NASA的EEE-INST-002,確保了其性能的可靠性。

在英飛凌,創新包含了從系統層級的開發,例如:半導體技術、抗輻射驗證及封裝技術相互協調運作。優化的整體系統不僅影響電氣效能,還能改善散熱表現與長期可靠性,同時大幅減少了重量與體積。對於太空任務而言,每一克的重量都影響甚鉅,而英飛凌的抗輻射元件在系統層級提供了關鍵的優勢。

寬能隙技術:GaN 的創新突破
英飛凌也正推動新型半導體材料在太空應用的發展。氮化鎵(GaN)元件可有效降低切換損耗,提升功率密度與切換頻率,從而減少能源損耗與對磁性元件的需求,進一步實現重量的減輕。基於內部製造能力以及隨之而來的製程與品質穩定性,英飛凌獲獎的抗輻射 100-V GaN 電晶體,依據 MIL-PRF-19500 標準通過 JANS認證,將 GaN 從概念轉化為可滿足嚴苛太空任務的可靠技術。英飛凌的 JANS 認證元件是市場上首款且唯一一款內部製造的抗輻射 GaN 電晶體。

英飛凌提供廣泛的抗輻射產品組合,涵蓋矽功率MOSFET、氮化鎵電晶體、閘極驅動器與固態繼電器,此外還包括抗輻射記憶體與射頻(RF)元件。憑藉內部輻射測試能力以及保證的長期產品供應,英飛凌不僅是一家元件供應商,更是為整個太空產業提供戰略技術支援的合作夥伴。
 
英飛凌IR HiRel的抗輻射半導體技術為獵戶座太空船核心的電子系統提供支援。© NASA
 
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者,以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工,2025 會計年度 (截至9月底),公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼:IFNNY) 掛牌上市。

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