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瑞薩第三代MRDIMM將DDR5記憶體效能提升至16,000MT/s，滿足下一代AI和HPC應用的需求

本文作者：瑞薩電子點擊： 2026-07-30 13:10

前言：

2026年7月30日--先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出第三代（Gen3）DDR5 多重存取雙列直插式記憶體模組（MRDIMM）晶片組解決方案，為 DDR5 伺服器級的 MRDIMM 提供最高 16,000MT/s（每秒百萬次傳輸）的效能。此全新解決方案旨在滿足人工智慧（AI）資料中心、雲端基礎設施和加速運算工作負載對記憶體頻寬日益增長的需求。

瑞薩將在 2026 年 8 月 4 日至 6 日於加州聖塔克拉拉舉行的 FMS2026（未來記憶體與儲存大會）上展示第三代 MRDIMM 的記憶體介面元件（展位號碼：807），包括支援下一代MRDIMM性能的第三代多路復用寄存時脈驅動器（MRCD，RRG5013x）和多路復用資料緩衝器（MDB，RRG5103x）裝置。

隨著人工智慧模型規模的擴大和密集資料運算的工作負載提高，系統架構師面臨的挑戰越來越大——如何在提供更高記憶體頻寬的同時，保持與現有伺服器平台的兼容性。瑞薩的第三代MRDIMM 解決方案兼具同時繼續使用現有的 DDR5 基礎架構，相比第二代的解決方案，記憶體頻寬提升了 25%，同時繼續使用現有的 DDR5 基礎架構。因此，伺服器平台無需進行大規模的架構變更即可獲得更高的效能。

瑞薩持續提供經過現場驗證、可直接投入生產的 MRDIMM 平台，涵蓋 MRCD、MDB、電源管理 IC（PMIC）、串列存在偵測（SPD）集線器和溫度感測器。此平台方案使客戶能夠在保持設計連續性的同時，實現 MRDIMM 效能的跨世代擴展，並加速部署。

第三代 MRDIMM 是基於第二代成熟的 MRDIMM 架構，在提升效能的同時，維持了標準DIMM 外形尺寸和系統相容性。第三代也增強了系統可觀測性和強健性，包括品質指示狀態的等化自我訓練模式（DESTM）品質指示狀態，使用戶能夠微調時序和能最大限度地提高品質狀態的等化訓練餘裕量。

除了效能提升之外，瑞薩第三代 MRDIMM 解決方案在設計時也充分考慮了系統級能效，幫助客戶在系統層面平衡不斷增長的頻寬需求與散熱和功耗限制。詳細的功耗比較資訊將在產品文件中提供。

Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD 表示：「AMD長期以來一直致力於支援開放且基於標準的技術，這些技術推動了資料中心的創新，並隨著AI和HPC工作負載的不斷演進而提供了更高的靈活性。

MRDIMM和瑞薩晶片組等下一代記憶體的創新，對於助力產業實現更高的效能。」

Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas 表示：「人工智慧訓練和推理工作負載正在從根本上改變資料中心基礎設施的系統記憶體需求。為了滿足這些工作負載對記憶體容量和傳輸速率的巨大需求，瑞薩持續引領業界，推出第三代 MRDIMM 晶片元件。我們的客戶將可以持續採用瑞薩完整的晶片組方案，進一步擴展記憶體的傳輸速率和容量。」

瑞薩正與領先的 CPU 和平台合作夥伴緊密合作，以推動未來伺服器平台採用第三代MRDIMM，從而鞏固 MRDIMM 作為下一代 AI 和雲端基礎設施可擴展記憶體架構的地位。

供貨

瑞薩第三代MRDIMMMRCD（RRG5013x）和MDB（RRG5103x）現已開始向特定客戶提供樣品，包括所有主要DRAM供應商。量產供應預計將於2027年下半年開始。更多有關瑞薩記憶體介面解決方案的資訊，請參閱www.renesas.com/ddr5。如需瞭解新產品的更多詳細資訊，請寄送電子郵件至 mid@lm.renesas.com，或造訪 http://www.renesas.com/。

關於瑞薩電子

瑞薩電子（TSE:6723）透過科技帶來更安全、智慧且美好的未來使生活更便利。身為全球微控制器領導供應商，瑞薩結合了在嵌入式處理、類比、功率和連網等領域的專業知識以提供全面的半導體解決方案。「成功產品組合」可加快汽車、工業、基礎設施及物聯網等應用的上市時間，為數十億裝置帶來連網功能，並賦予裝置智慧，使人們的生活和工作更便利。欲了解更多資訊，請造訪 renesas.com。

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