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Power Integrations 展示全球首創 2200 V GaN 技術，瞄準新世代高壓電力系統應用

本文作者：Power Integrations 點擊： 2026-08-06 10:30

前言：

業界首創 2200 V PowiGaN™ 技術，可為 AI 資料中心、電動車、太陽能及 HVDC 基礎設施提供更高功率密度、更高效率，以及更安全、更精簡的系統架構

2026年8月5日--高壓能效電源轉換整合晶片領導廠商Power Integrations (NASDAQ：POWI)今日宣布，其PowiGaN™ 氮化鎵（GaN）技術的額定電壓已提升至 2200 V，大幅超越目前所有商用 GaN 技術的電壓等級。這項突破使 PowiGaN 成為高壓 AI 資料中心、電動車、再生能源及高壓直流輸電（HVDC）基礎設施等新一代高壓電力系統的領先技術方案，可支援更高電壓的匯流排架構，進一步提升系統功率密度。

「我們的 2200 V PowiGaN 技術不僅為新一代高壓電力系統提供更充裕的電壓安全餘裕，同時也支援實現高功率密度所需的高切換頻率，」Power Integrations 總裁暨執行長 Jennifer Lloyd 表示。「新興應用包括下一代 AI 資料中心，目前產業發展藍圖已朝向 1500 V 配電架構邁進；此外，未來電動車電池系統及 48 V 輔助電源系統的輸出電壓也將持續提升。這項里程碑式突破進一步將 GaN 技術的應用範圍擴展至過去主要由碳化矽（SiC）所主導的高電壓領域，為太陽能、HVDC 及先進工業電源轉換等應用提供兼具高切換頻率與高效率的全新選擇。」

氮化鎵（GaN）功率開關憑藉更高的效率與更高的切換頻率，正逐步取代矽晶體管，廣泛應用於各類電源轉換系統。然而，隨著 AI 資料中心、電動車、再生能源及 HVDC 基礎設施的發展藍圖持續朝向更高電壓與更高功率密度邁進，GaN 技術也必須同步提升其電壓等級。現行替代方案包括採用切換頻率較低的碳化矽（SiC），或使用多顆較低電壓的 GaN 元件堆疊而成的方案，但這些做法都必須在功率密度、系統複雜度及可靠度之間做出取捨。

目前，額定電壓 1700 V 的 PowiGaN IC 已開始導入單級式 AI 資料中心輔助電源應用；而 1250 V PowiGaN 則可在 800 VDC AI 資料中心主電源傳輸路徑中，提供比堆疊式方案更簡潔的設計選擇。如今，2200 V PowiGaN 技術的推出，意味著未來可支援更高電壓的匯流排架構，不僅能為 AI 資料中心的電源設計預作準備，也將有助於支援未來電動車、太陽能逆變器及電池儲能系統等高壓應用的發展。

「AI 資料中心朝向 800 VDC 匯流排架構發展，正重新形塑功率半導體市場，」Yole Group 化合物半導體技術暨市場分析師 Roy Dagher 博士表示。「過去，GaN 的電壓上限限制了其應用於主電源傳輸路徑，因此這個領域一直由 SiC 所主導。如今，2200 V 的額定電壓改變了這個局面，不僅可為單級式電源架構提供更充裕的設計餘裕，也為未來 1500 V AI 資料中心及電動車設計預作準備。我們預估，至 2031 年，GaN 功率元件市場規模將達 35 億美元，而將 GaN 技術拓展至這些更高電壓的應用領域，將是推動市場成長的重要因素之一。」(1)

相關資源

如需進一步資訊，請參閱 Power Integrations 白皮書，或造訪 PowiGaN 專頁。

關於 Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高壓功率轉換專用半導體技術的領導創新廠商。該公司的產品在綠色能源生態系統中扮演關鍵角色，不僅能夠利用再生能源發電，還能在從毫瓦到兆瓦等各種應用中，實現高效的電力傳輸、轉換與使用，涵蓋 AI 資料中心、電動車及高壓直流輸電（HVDC）基礎設施等應用。如需詳細資訊，請造訪 www.power.com 。

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