照片人物: 英飛凌工業電源控制事業處大中華區總監馬國偉博士
在20 世紀50、60 年代，荷蘭人Lely 發明了一種採用昇華法生長高品質單晶體的方法，SiC 首次作為重要的電子材料出現，1978 年前蘇聯科學家Tairov 和Tsvetkov 在1979 年發明了SiC 藍色發光二極體，1991 年美國Cree 公司用改進的Lely 方法生產出6H-SiC，2000 年實現4 英寸6H-SiC 市場化，2007 年Cree 發佈商業化生產版本的100mm SiC基底，並在3 年後將尺寸提升為150mm，6 英寸。
SiC 材料在相當長一段時間內作為發光電子材料出現，但其工作原理與其他功率器件本質相同。面對氣候變遷、能源短缺、全球人口增加、都市化以及數位化的發展趨勢，市場對半導體元件節能減碳與提升效率的渴求日甚。SiC 材料在工作效率、節能、體積等方面遠遠優於傳統的矽(Si) 元件，比如禁帶寬度大接近於Si 的3 倍、元件極限工作溫度可以高達600℃、臨界擊穿電場強度是Si 的10 倍、熱導率高超過Si 的3 倍等等，除了，一個問題，貴！
這是影響SiC 功率器件普及的一個最障礙。對大廠來說，提前佈局才能佔據先機。
