照片人物:英飛凌副總裁暨總經理 詹啟祥
在電子電力產業領域走向智慧化的同時，提升電源轉換效能、提高功率密度水準、延長電池使用時間以及加快開關速度都是要面對的問題。氮化鎵(GaN) 快速開關，耐高溫、尺寸更小等特點，正在對功率半導體的未來發展產生重大影響。
英飛凌推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，進一步降低整體的設計成本。
英飛凌推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，進一步降低整體的設計成本。
新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念，已優化實現快速開通和關斷。可在開關式電源（SMPS）中實現高能源效率和高功率密度，其優值係數（FOM）高於目前市面上所有600V 元件。
英飛凌科技奧地利資深產品行銷經理鄧巍博士表示，CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率，透過縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。CoolGaN 600V 增強型HEMT在功率因數校正器裡具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160W/in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
英飛凌專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC–1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快產品上市時程。
鄧巍博士表示，柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零，這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通。還可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作迴圈或開關速度影響，這可確保運作穩健性和高能效，大大縮短研發週期。
英飛凌是唯一一家掌握所有高壓電力技術產品的公司
詹啟祥強調，隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，英飛凌將是目前市場上唯一一家提供涵蓋矽、碳化矽和氮化鎵等材料的全系列功率產品供應商
