照片人物: 意法半導體執行副總裁暨中國區總裁 曹志平
ST在世界各地擁有許多製造基地。前段製程製造基地主要分佈在四個國家，包括瑞典、法國、義大利和新加坡。此外，還在義大利、法國、摩洛哥、馬爾他、馬來西亞、中國深圳和菲律賓擁有很多封裝和測試工廠。因此，ST擁有供應鏈，以及遍佈不同國家的前段製程和後段製程工廠。特別是在過去三年因應新冠疫情的挑戰——有時某些地方會因為疫情而被封鎖，但ST仍可以非常順利地管理內部生產和供應鏈。
意法半導體執行副總裁暨中國區總裁 曹志平表示，ST 的經營策略是成為一家垂直整合製造商（IDM），涵蓋晶片設計、晶圓製造、封裝和測試、銷售和支援的整條價值鏈的企業。ST涵蓋了無廠模式、半導體代工和後段製程，如封裝測試等。在掌控關鍵差異化技術及其相關製程，ST有能力做得更好。
多樣的先進技術使產品差異化，協助客戶取得成功
曹志平表示，ST擁有豐富的技術組合，而且大部分技術具有專有技術，也就是ST的獨家技術。例如，ST是世界上第一家開發BCD技術的公司。此外，還提供 STi²GaN和 VIPower，能夠利用專門的光學影像感測器製程等。就功率技術而言，提供功率MOSFET、IGBT、碳化矽（SiC）和氮化鎵 （GaN）。ST還擁有特殊的MEMS技術，以及類比和混合訊號技術。就數位化技術而言，擁有 FD-SOI技術。還與代工廠合作提供FinFET技術。就快閃記憶體技術而言，ST擁有許多聚焦嵌入式快閃記憶體、CMOS的特殊技術。除此還擁有射頻CMOS和BiCMOS技術，能夠提供特有的防輻射功能。就封裝技術而言，ST能夠非常靈活地提供包括引線框架、層壓板、感測器模組、晶圓級等所有技術在內的優選組合。
ST的工廠不只是單純的工廠。我們已經將技術研發融入到每個工廠。工廠不僅專注於產品製造，還擁有大量專注於研發設計的人員，以推動技術的持續創新。ST不僅專注於晶圓技術的研發，也專注於封裝和測試的創新。此外，還與封測代工廠（OSAT）合作，透過封測外包的形式，利用最新的技術持續推動創新，以滿足終端市場，例如智慧出行、電源與能源，以及物聯網＆連網等市場的需求。
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素
曹志平表示，技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。ST不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。我們致力於為客戶打造可靠的供應鏈。ST計畫在2022 年至2025 年間將12吋晶圓的內部製造產能擴大一倍。由於汽車電動化和可再生能源領域對碳化矽（SiC）的需求特別大，因此也投資了碳化矽技術。此外，ST亦持續投資氮化鎵（GaN）。目前我們專注於提升8吋晶圓的內部研發能力，計畫在2023年達成8吋晶圓的內部製造。此外， ST還與外包合作夥伴（包括晶圓代工廠和封測代工廠OSAT）合作，與領先的數位技術和封裝技術供應商合作，以滿足客戶日益成長的需求。
提升12吋晶圓產能
ST斥巨資投資兩個12吋晶圓工廠。 一個工廠位於法國的克羅爾，另一個則位於義大利的阿格拉特。目標是以2023年的產能作為基礎，並在2025年將 12吋晶圓的產能提升一倍。就擴張寬能隙半導體的產能而言，ST正在義大利卡塔尼亞工廠投資碳化矽技術。
ST所有工廠和格羅方德所有晶圓廠（包括格羅方德德國德累斯頓工廠）都通過了 ISO 環境和能源管理認證。透過這個新工廠，ST旨在減少大量能源消耗和溫室氣體排放。ST長久致力於確保高標準的空氣和水品質。
此外，ST亦採用數位孿生技術，尤其是法國克羅爾和義大利阿格拉特這兩個12吋晶圓廠。藉由這些技術，ST能夠快速提升阿格拉特12吋晶圓新廠的產量。展望未來，ST甚至可以利用這個技術，加速許多其他12吋晶圓廠的產能提升。
將碳化矽基板整合到碳化矽元件
曹志平表示，對於碳化矽這樣的新技術，控制整個製造鏈非常重要，包括碳化矽基板、前段製程晶圓製造、後製程封測和客製化SiC功率模組。
ST已經制定了非常詳細的計畫，包括以下四個方向：
供應鏈垂直整合：2019年第四季完成對Norstel AB（現更名為ST SiC AB）的收購
2020年第一季首次内部供應6吋（150mm）基板
2021年第三季推出首批 8 吋（200 mm）晶圓樣品，預計2024 年前量產
規劃建設新廠，目標在 2024 年達成内部採購逾40%的比重
在收購 Norstel AB 後，ST 真正擁有了一個完整的製造鏈。現在，Norstel AB已更名為 ST SiC AB，這代表著ST進入了碳化矽供應鏈的上游基板製造。此外，基板晶圓已經整合到ST的製造鏈，同時不斷擴大產能。例如，提升了主要功率元件製造廠卡塔尼亞工廠的產能，新加坡生產線更是增加了一倍產能，而6 吋升級到 8 吋的專案亦已在籌備中。ST後段製程封測廠位於摩洛哥的布庫拉和中國深圳。ST深圳工廠是主要的碳化矽封裝基地，多數的相關產品都是在深圳完成封測製造。
ST計畫在2017至2024年間將產能提升9倍。
ST已經在進行8吋升級，ST SiC AB工廠推出了首批內部用8 吋原型晶圓。然後，在製造過程中導入特别是基板製造、自動化和優化技術，這意味著ST的製造業務具有更大的靈活性，且更容易滿足市場需求。
2022 年 12 月，ST宣布將與 Soitec 合作開發碳化矽基板製造技術，雙方同意在未來的8吋（200mm）SiC基板製造過程中導入將 Soitec的SmartSiC 技術。ST 和 Soitec 的合作將有助於加速在先進的SiC基板技術上取得突破，改善產品性能，掌握碳化矽大規模製造所需的技術。
提升氮化鎵的技術能力和產能，支援公司達成營收目標
曹志平表示，除了進行碳化矽的投資之外，我們還致力於提升氮化鎵(Gan)的技術能力和產能，以達到公司的營收目標。ST 認為，功率 GaN是整個功率電晶體市場的一個主要貢獻者。產業分析機構如OMDIA和Yole推出了報告並預測整個功率市場在2021-2026 年間複合年成長率約 9%，從195億成長到302億美元。即便到 2026 年，功率 GaN 在整個市場的比重仍然很小，最多僅 10%。綜合考量到價格及所帶來的收益，GaN技術有非常具體的應用情境。ST將重心放在開發週期較長的電源能源、工業和汽車應用領域，將會不斷地強化在這些市場的投入，同時ST也選擇性地佈局特定的消費性和個人電子產品市場。
ST擁有功率轉換GaN和射頻功率GaN技術。在法國圖爾還擁有了8吋功率GaN晶圓廠。同時，外延基板研發能力和試製生產線也已經準備就緒。2022年完成了晶圓廠的生產認證，將在2023年開始量產和增產。除此，在義大利卡塔尼亞擁有6吋射頻GaN晶圓廠，該廠在2022年完成了晶圓廠生產認證。
ST已經採用台積電業界先進的GaN製程生產ST的產品。 同時也收購了法國氮化鎵新創公司EXAGAN ，將其整合到更廣泛的 ST功率GaN 業務中。
關於未來製造優化策略，對外，透過與代工廠合作，縮短產品上市時間，並達成多地量產來完善生產計畫；對內，掌握法國圖爾工廠的8吋晶圓製造機會，發揮專有之100V、650V技術專長。
曹志平表示，ST 的策略是雙管齊下，我們既提供 SiC，也提供GaN。目前，SiC仍是現今設計人員的首選技術。而GaN HEMT（高電子遷移率電晶體）的工作頻率遠高於 SiC MOSFET，是SiC 的良好替代品，未來可用於OBC充電器和DC-DC 轉換系統。
曹志平表示，除了在內部產能擴建，ST也與一些外包合作夥伴進行合作，發展策略性的製造外包。例如，就前段製程而言，有80%的晶圓產能透過ST內部資源完成，而有20%的產能需透過與合作夥伴合作獲取外部資源完成。就後段製程而言，ST內部能完成65%的封測工作，而ST的封測代工廠 （OSAT）則能完成 35% 的封測工作。透過採用策略和運營模式，因應客戶需求的成長，管理內部產能擴張計畫，確保所有流程的流暢性，為客戶提供高品質的服務。
永續發展的製造
ST的目標是在2027 年實現碳中和。為了達成此一目標，ST需要在製造過程中不斷推動永續性發展。
曹志平表示，25 年來，永續發展一直是ST的指導原則，自 2000 年以來一直是聯合國全球合約（UNGC）的簽署方，並是責任商業聯盟（RBA）的成員，ST一直與業界攜手攻克永續發展面臨的巨大挑戰，例如，衝突礦產、健康與安全、環境保護、社會問題和供應鏈管理。
曹志平表示，除了永續性發展之外，ST 還在數位化轉型和工業 4.0投入了大量資金。利用數位技術將ST的供應鏈打造成由需求驅動的供應鏈，以因應與各種挑戰，包括市場波動、供應鏈中斷、供應鏈重複、環境挑戰、貿易戰等。ST利用更多的數位元技術減少浪費，打造穩定且具有彈性的供應鏈，以因應市場中的各種變化。
