圖片人物左至右為: 科林研發企業策略暨先進封裝資深副總裁 Audrey Charles、科林研發策略專案副總裁 Ming Li 博士
隨著 AI 與 HPC 帶動資料處理量急速增加，晶片製造商正積極採用 3D 先進封裝與小晶片（chiplet）架構來提升效能與降低功耗。然而，這類封裝技術往往伴隨高堆疊、高密度與高翹曲等挑戰。為此，科林研發宣布推出突破性的沉積設備 VECTOR® TEOS 3D，專為次世代人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）應用所需晶片的先進封裝需求而設計。TEOS 3D 旨在解決 3D 堆疊和高密度異質整合中的關鍵挑戰。它採用透過專有的翹曲晶圓片傳送方案與創新的介電沉積技術，結合 Equipment Intelligence智慧監測，能精準沉積超厚且均勻的晶片間介電層。目前，TEOS 3D 已在全球領先的邏輯晶片和記憶體晶圓廠投入使用。
科林研發企業策略暨先進封裝資深副總裁 Audrey Charles 表示，晶片堆疊高度與複雜度提升，製程中容易出現應力、晶圓扭曲、薄膜裂縫與空隙等問題，導致良率下降與可靠性風險。TEOS 3D 則針對這些痛點提供解方，它能以奈米級精度沉積厚度達 60 微米的專用介電薄膜，並具備擴展至 100 微米以上的能力。這些薄膜不僅提供關鍵的結構與熱力學支撐，更能防止層狀結構剝離等常見的封裝失效。
除了在材料與結構上的突破，TEOS 3D 在生產力與智慧化管理上同樣具備差異化優勢。其最大亮點之一是能夠在單次製程中沉積厚度超過 30 微米且無裂縫的薄膜，不僅提升良率，更顯著縮短製程時間。該設備搭載的 Quad-Station 模組（QSM）架構，透過四個獨立反應機構實現平行處理，降低生產瓶頸，模組化設計讓其產能較上一代解決方案提升近 70%，並提升高達 20% 的整體擁有成本效益。
TEOS 3D 內建科林研發的 Equipment Intelligence® 技術，能即時監測製程數據、快速偵測並解決問題，並可自動化處理例行任務，進一步提升設備的可重複性與可靠性。這項智慧化功能使晶片製造商能在保持高產能的同時，確保品質一致性，並降低維護成本。科林研發策略專案副總裁 Ming Li 博士解釋，TEOS 3D 不僅能沉積業界最厚且無空隙的晶片間介電層薄膜，更能根據客戶需求靈活客製化，助力晶片製造商突破摩爾定律的邊界，邁向 AI 時代。
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