符合A4WP第三級標準的無綫電源傳送應用並在E類放大器拓撲採用eGaN®FET與MOSFET的性能的比較
前言：
符合A4WP第三級標準的無綫電源傳送應用並在E類放大器拓撲採用eGaN®FET與MOSFET的性能的比較
摘要：採用eGaN FET的Ｅ類放大器拓撲並工作在on-resonance的條件下的無綫電源傳送解決方案在較早前已經表明可以取得更高效率。本研討會將討論eGaN FET如何在Ｅ類放大器並工作在很大的反射負載阻抗範圍內可以比MOSFET具備更優越的性能。大量反射阻抗是符合A4WP對無綫電源傳送的易用性的要求。符合A4WP第三級的總虛數部份非常廣闊，要求非常高的極端電壓從而取得所需的電流量。我們評估虛數部份的變化將减至0j Ω 到 -30j Ω，使3 bit的分立式自適應匹配重調電路可以控制整個符合A4WP標準的+10jΩ 到 -150jΩ的範圍。我們將比較採用eGaN FET與等效MOSFET的放大器的性能。
摘要：採用eGaN FET的Ｅ類放大器拓撲並工作在on-resonance的條件下的無綫電源傳送解決方案在較早前已經表明可以取得更高效率。本研討會將討論eGaN FET如何在Ｅ類放大器並工作在很大的反射負載阻抗範圍內可以比MOSFET具備更優越的性能。大量反射阻抗是符合A4WP對無綫電源傳送的易用性的要求。符合A4WP第三級的總虛數部份非常廣闊，要求非常高的極端電壓從而取得所需的電流量。我們評估虛數部份的變化將减至0j Ω 到 -30j Ω，使3 bit的分立式自適應匹配重調電路可以控制整個符合A4WP標準的+10jΩ 到 -150jΩ的範圍。我們將比較採用eGaN FET與等效MOSFET的放大器的性能。
