圖：C0G BME MLCC 在500VDC 偏壓下表現出優異的電容穩定性。
為了滿足電源轉換行業對功率、溫度和成本的要求，工程師需要採用高效率的電力MOSFET、整流二極體和絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，並且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) 等技術，現已變得更具性價比。此外，隨著市場的成長，由於規模經濟的關係，SiC或GaN 電晶體和二極體在經濟上也越來越具有吸引力。
隨著電源電路——尤其是電器或電動汽車(EV)電機驅動器、並網逆變器和資料中心電源——越來越普遍地採用這類器件設計，設計人員需要考慮它們對電路其他部分( 例如電容器等無源元件) 的影響，以及如何設計它們來幫助盡可能地提高效率增益並確保可靠性。
