圖：以反相邏輯驅動功率MOSFET。
摘要
IGBT/ 功率MOSFET 是一種電壓控制型元件，可用來作為電源電路、電機驅動器和其它系統中的切換開關元件。閘極是每個元件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對於IGBT，它們被稱為集電極和發射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加於閘極( 相對於參考元件的源極/ 發射極而言)。使用專門驅動器向功率元件的閘極施加電壓並提供驅動電流。本文討論閘極驅動器是什麼，以及為何需要閘極驅動器，另外也將探討如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。
IGBT/ 功率MOSFET 是一種電壓控制型元件，可用來作為電源電路、電機驅動器和其它系統中的切換開關元件。閘極是每個元件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對於IGBT，它們被稱為集電極和發射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加於閘極( 相對於參考元件的源極/ 發射極而言)。使用專門驅動器向功率元件的閘極施加電壓並提供驅動電流。本文討論閘極驅動器是什麼，以及為何需要閘極驅動器，另外也將探討如何定義其基本參數，如時序、驅動強度和隔離度。
需要閘極驅動器
IGBT/ 功率MOSFET 的結構使得閘極和源極/發射極之間形成一個非線性電容。為閘極電容充電會使功率元件導通，並允許電流在其漏極和源極接腳之間流動，而放電則會使元件關斷，漏極和源極接腳上就可以阻斷大電壓。當閘極電容充電且元件剛好可以導通時的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/ 功率MOSFET 用作開關，應在閘極和源極/ 發射極接腳之間施加一個充分大於VTH 的電壓。
IGBT/ 功率MOSFET 的結構使得閘極和源極/發射極之間形成一個非線性電容。為閘極電容充電會使功率元件導通，並允許電流在其漏極和源極接腳之間流動，而放電則會使元件關斷，漏極和源極接腳上就可以阻斷大電壓。當閘極電容充電且元件剛好可以導通時的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/ 功率MOSFET 用作開關，應在閘極和源極/ 發射極接腳之間施加一個充分大於VTH 的電壓。
